cmos集成電路工藝基礎(chǔ)-文庫(kù)吧
2025-04-21 01:31 本頁(yè)面
【正文】 SiO SiON、 SiN4 主要功能： 1）器件之間、有源層、導(dǎo)線層之間的絕 緣層。 2）離子注入和熱擴(kuò)散時(shí)的隔離層 3）生成器件表面的鈍化層，保護(hù)器件不受外 界的影響。 6． 金屬材料的作用 主要功能： 1）器件本身的接觸線 2）器件間的互連線 3）形成焊盤（ PAD）， 封裝接口 目前最常用的是 AL 在高性能的芯片生產(chǎn)工藝采用 Cu 隨著工藝的發(fā)展，線寬越來越細(xì)，采用低電阻率的金屬和合金成為發(fā)展方向。 金屬布線層次越來越多，最多可達(dá) 7~8層 第二節(jié) 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 在硅或者鍺晶體中 ,原子按一定規(guī)律排列。 硅和鍺的都是四價(jià)元素，原子的最外層軌道 上有四個(gè)電子。 這四個(gè)電子形成四個(gè)共價(jià)鍵 本征半導(dǎo)體 完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。 本征半導(dǎo)體中載流子的濃度在室溫下： T＝ 300K )/1(10* 310 cmnpn i ???、 P型和 N型半導(dǎo)體 ? 兩種載流子：帶負(fù)電荷的電子和帶正電荷的空穴 。 ? 當(dāng)硅中摻入 Ⅴ 族元素 P時(shí) ， 硅中多數(shù)載流子為電子 ，這種半導(dǎo)體稱為 N型半導(dǎo)體 。 ? 當(dāng)硅中摻入 Ⅲ 族元素 B時(shí)，硅中多數(shù)載流子為空穴，這種半導(dǎo)體稱為 P型半導(dǎo)體。 )/1(10 22 cmn ??)/1(10 22 cmp ??第三節(jié) 集成電路制造基本工藝 、 氧化工藝 *把裸露的硅片放高溫氧氣氛中 ,就會(huì)生成 SiO2 *氧化層可以分為柵氧和場(chǎng)氧 *柵氧 : 它的厚度一般在幾百 A左右 ,對(duì)器件的性能影響大 *場(chǎng)氧 : 它的厚度一般在幾千 A左右 ,絕緣和隔離的作用 . ?氧化爐 石英舟滑道爐膛?改進(jìn)的氧化爐 石英舟 滑道爐膛、 摻雜工藝 在襯底材料上摻入五價(jià)磷或三價(jià)硼 ， 以改變半導(dǎo)體材料的電性能 。 形成 N或 P型半導(dǎo)體 . 摻雜過程是由硅的表面向體內(nèi)作用的 。 目前 ， 有兩種摻雜方式：擴(kuò)散和離子注入 。 GDS D G SP si1. 擴(kuò)散：擴(kuò)散爐與氧化爐基本相同 ， 只是將要摻入的雜質(zhì)如 P或 B的源放入爐管內(nèi) 。 擴(kuò)散分為兩步： ? STEP1 預(yù)淀積：將濃度很高的一種雜質(zhì)元素 P或 B淀積在硅片表面 。 ? STEP2 推進(jìn)：在高溫 、 高壓下 ， 使硅片表面的雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)部 。 實(shí)驗(yàn)分析表明： P的濃度分布可由下式表示： 其中 ， NT： 預(yù)淀積后硅片表面淺層的 P原子濃度 D： P的擴(kuò)散系數(shù) t ： 擴(kuò)散時(shí)間 x： 擴(kuò)散深度 只要控制 NT 、 T、 t 三個(gè)因素就可以決定擴(kuò)
高考資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1