[工學(xué)]第九章mos集成電路-資料下載頁
2025-01-19 07:28本頁面
【正文】 KIITVVVVVVVKIVVVVVKIT????????????????????????????????????????變換和29 畫出電壓傳輸曲線并分區(qū) ,分區(qū)線是 ViVTN=VO, ViVTP=VO, Vi=VTN, Vi=VDD+VTP， 分成 5個區(qū) Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ VDD VO 0 Tp非 TN截 Tp 飽 TN 飽 TN非 TP截 Vi－ VTN＝ VO Vi－ VTP＝ VO VTN V* VDD＋ VTP VDD Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Vi 靜態(tài)時 I=0，狀態(tài)轉(zhuǎn)換時有電流脈沖通過 Ⅰ 區(qū)： VO≈ VDD， TN管截止 Ⅱ 區(qū)： TN飽和， TP非飽和 1＝ 4 Ⅲ 區(qū)：均飽和 1＝ 3 Ⅳ 區(qū)： TN非飽和， TP飽和 2＝ 3 Ⅴ 區(qū)： TP截止 VO ≈0 30 三、噪容 VO 0 V* Vi VNMLM VNMHM Vi=VO 指定噪容 :根據(jù)使用和電路工作要求預(yù)先給出臨界高低電平 最大噪容： VNMHM=VOH－ V? VNMLM=V?－ VOL 最佳噪容 v ?=1/2 判斷傳輸特性好壞的標(biāo)準(zhǔn)： 邏輯擺幅大 狀態(tài)轉(zhuǎn)換區(qū)陡，垂直 噪容大 31 四、功耗特性 反相器的功耗由三部分組成： 靜態(tài)功耗 Pc＋瞬態(tài)功耗 P動 ＋交變功耗 Pt 動態(tài)功耗：輸入為連續(xù)脈沖時 32 靜態(tài)功耗 Pc： CMOS倒相器靜態(tài)時總有一個管子導(dǎo)通，另一個截止，故 Pc極低，它由電路中所有 Pn結(jié)漏電流和表面漏電流形成。主要與三個因素有關(guān)： ①集成度 ↑ 寄生二極管多 Pc↑ ② 芯片面積 ↑ 寄生二極管的結(jié)面積 ↑ I漏 ↑ Pc↑ ③ 溫度 ↑ I漏 ↑ Pc↑ 33 瞬態(tài)功耗 P動 ： 對于 CMOS，其靜態(tài)功耗很小，所以要重點考慮動態(tài)功耗。 當(dāng)反相器輸入為理想階躍波時，對負(fù)載電容和寄生電容充放電所消耗的功耗稱為瞬態(tài)功耗 VDD ● ● Ip In ● ● Vo Ic CL Vi t t t Vi IicI Ip IN Ip IN 充 放 充 放 34 交變功耗 Pt 輸入為非理想階躍波時，在反相器處于輸入波形上升沿或下降沿的瞬間，負(fù)載管和驅(qū)動管會同時導(dǎo)通，由此引起的功耗稱為交變功耗。 如對 CMOS倒相器輸入一非階躍信號： 當(dāng) VTNViVDD＋ VTP時， TP、 TN同時導(dǎo)通，這時有一股電流 I’從電源通過 TP、 TN流到地，產(chǎn)生交變功耗 Pt Vi VDD VDD＋ VTP VTN 0 I‘ t
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