集成電路工藝原理(文件)
【正文】 刻原理 (上 ) 1/34 集成電路 工藝 原理 仇志軍 邯鄲校區(qū)物理樓 435室 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 2/34 凈化的三個層次： 上節(jié)課主要內(nèi)容 凈化級別 高效凈化 凈化的必要性 器件：少子壽命 ?， VT改變， Ion? Ioff?，柵擊穿電壓 ?，可靠性 ? 電路：產(chǎn)率 ?，電路性能 ? 雜質(zhì)種類：顆粒、有機(jī)物、金屬、天然氧化層 強(qiáng)氧化 天然氧化層HF:DI H2O 本征吸雜和非本征吸雜 環(huán)境、硅片清洗、吸雜 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 3/34 大綱 第一章 前言 第二章 晶體生長 第三章 實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 熱氧化 第六章 熱擴(kuò)散 第七章 離子注入 第八章 薄膜淀積 第九章 刻蝕 第十章 后端工藝與集成 第十一章 未來趨勢與挑戰(zhàn) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 4/34 光刻的作用和目的 圖形的產(chǎn)生和布局 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 5/34 35％的成本來自于光刻工藝 光刻的要求 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)組成： ?掩膜版 /電路設(shè)計(jì) ?掩膜版制作 ?光刻 光源 曝光系統(tǒng) 光刻膠 分辨率（ 高 ） 曝光視場（ 大 ） 圖形對準(zhǔn)精度（ 高 ） —— 1/3最小特征尺寸 產(chǎn)率（ throughput）（ 大 ） 缺陷密度（ 低 ） 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 6/34 空間圖像 潛在圖像 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 7/34 掩膜版制作 CAD設(shè)計(jì)、模擬、驗(yàn)證后由圖形發(fā)生器產(chǎn)生數(shù)字圖形 數(shù)字圖形 4或 5投影光刻版 投影式光刻 1掩膜版制作 接觸式、接近式光刻 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 8/34 電子束直寫 熔融石英玻璃片 80nmCr 10～ 15nmARC（ antireflection coating） 光刻膠 高透明度（散射?。? 熱膨脹小 ? 4或 5投影光刻版在 制版時(shí)容易檢查缺陷 ?版上缺陷可以修補(bǔ) ?蒙
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1