集成電路工藝之離子注入-資料下載頁
2025-05-02 18:30本頁面
【正文】 增加 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 熱退火過程中的擴(kuò)散效應(yīng) ?高斯分布的雜質(zhì)在熱退火過程中會使其分布展寬 ，偏離注入時的分布，尤其是尾部，出現(xiàn)了較長的按指數(shù)衰減的拖尾 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 快速熱退火（ RTA） ?傳統(tǒng)熱退火的缺點(diǎn) ? 不能完全消除缺陷，產(chǎn)生二次缺陷 ? 高劑量注入時的電激活率不夠高 ? 高溫長時間熱退火會導(dǎo)致明顯的雜質(zhì)再分布 ?快速退火 （ Rapid Thermal Annealing） 技術(shù) ? 在氮?dú)饣蚨栊詺怏w的氣氛下，極短的時間內(nèi)，把晶片溫度提高到 1000℃ 以上。 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 快速熱退火（ RTA） 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 快速熱退火（ RTA） ?作用： ? *消除由注入所產(chǎn)生的晶格損傷 ? *恢復(fù)材料少子壽命和載流子遷移率 ? *雜質(zhì)激活 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 作業(yè)： 1. 離子注入與熱擴(kuò)散相比 哪個要求溫度低（ ） 哪個摻雜純度高（ ） 哪個高濃度摻雜不受固溶度限制（ ） 哪個摻雜均勻性好（ ） 哪個可精確控制摻雜濃度、分布和注入深度（ ） 哪個橫向效應(yīng)小（ ） A. 離子注入 B. 熱擴(kuò)散 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 2. 離子注入摻雜純度高，是因為（ ） . 3. 減弱或消除溝道現(xiàn)象的措施有：（ ） ① 入射方向偏離溝道軸向 ② 入射方向平行溝道軸向 ③ 樣品表面淀積一層二氧化硅 ④ 樣品表面淀積一層氮化硅 A． ①③ B. ②③ C. ①③④ D. ②③④ 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 4. 離子注入所造成的晶格損傷會直接影響半導(dǎo)體材料和器件的特性，主要影響有（ ） ① PN結(jié)反向漏電流增大 ② 載流子遷移率下降 ③ 少子壽命下降 ④ 雜質(zhì)原子大多處于間隙位置不能提供導(dǎo)電性能 A. ②③ B. ①②④ C. ②③④ D. ①②③④ 5. 入射離子的兩種能量損失模型為： _____碰撞和____碰撞。 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 6. 假設(shè) B以 100KeV、每平方厘米 5 1014個離子的劑量注入進(jìn)入 200mm的硅晶片，試計算峰值濃度。如果注入在 1min內(nèi)完成，求離子束電流。 （已知： B以 100KeV的能量注入硅中時，投影射程為 ，投影偏差為 ） 試計算在中性環(huán)境中， 950℃ 、 30min硼預(yù)置摻雜情況的結(jié)深與雜質(zhì)總量。 （ 假設(shè)襯底是 n型 Si， ND= 1016cm3，而硼的表面濃度為Cs= 1020cm3。擴(kuò)散系數(shù) D此時為 4 1015cm2s1.）
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