【總結】離子注入技術(Implant)姓名:張賀學號:10811202152基本原理和基本結構1綜述3技術指標4應用及結論1綜述?最早應用于原子物理和核物理研究?提出于1950’s?1970’s中期引入半導體制造領域2基本原理和基本結構基本原理:離子注入(Implant)
2025-05-13 06:44
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP------+++++半導體元件制造過程可分為
2025-02-26 01:36
【總結】第四章:離子注入技術問題的提出:–短溝道的形成?–GaAs等化合物半導體?(低溫摻雜)–低表面濃度?–淺結?–縱向均勻分布或可控分布?–大面積均勻摻雜?–高純或多離子摻雜?要求掌握:–基本工藝流程(原理和工藝控制參數(shù))–選擇性摻雜的掩蔽膜(Mask)–質量控制和檢測
2025-02-18 08:10
【總結】半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產生和布局1半導體制備工藝基礎第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。用照相復印的方法將掩模版上的圖案轉移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-01 04:30
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP------+++++半導體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【總結】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預淀積+退火。預淀積:氣固相預淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導體薄層(結深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【總結】學習情景三常州信息職業(yè)技術學院學習情景三:薄膜制備子情景4:物理氣相淀積學習情景三常州信息職業(yè)技術學院半導體制造工藝第2版?書名:半導體制造工藝第2版?書號:978-7-111-50757-4?作者:張淵?出版社:機械工業(yè)出版社學習情景三常州信息職業(yè)技術學院物理氣相淀積?概念:物
【總結】半導體制備工藝基礎第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變!1半導體制備工藝基礎第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑,吸光并
2025-02-28 12:03
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識本征材料:純硅9-10個N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結:半導體元件制造過程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、晶
2025-06-26 12:08
【總結】半導體制造工藝基礎第六章擴散原理(上)摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質摻入硅中,并獲得精確的雜質分布形狀(dopingprofile)。MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應用:BECppn+n-p+p+n+n+B
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:28
【總結】半導體制造工藝流程N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結: 半導體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構裝(Packaging)、 測
2025-08-22 13:36
【總結】離子注入技術摘要 離子注入技術是當今半導體行業(yè)對半導體進行摻雜的最主要方法。本文從對該技術的基本原理、基本儀器結構以及一些具體工藝等角度做了較為詳細的介紹,同時介紹了該技術的一些新的應用領域。關鍵字 離子注入技術 半導體摻雜1緒論離子注入技術提出于上世紀五十年代,剛提出時是應用在原子物理和核物理究領域。后來,隨著工藝的成熟,在1970年左右,這種技術被引進半導體
2025-07-14 01:37
【總結】半導體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質的分類 清洗方法概況 常用清洗設備——超聲波清洗設備 質量控制 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 引言表3-1 國際半導體技術指南——清洗技術 污染物雜質的分類表3-2 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質的分類