集成電路原理第五章-資料下載頁
2025-04-30 18:17本頁面
【正文】 刻耗盡注入?yún)^(qū) ? 刻多晶硅 ? 刻接觸孔 ? 反刻 Al 圖 513 E/D NMOS 反相器版圖 硅柵 CMOS與非門版圖舉例 ? 刻 P阱 ? 刻 p+環(huán) ? 刻 n+環(huán) ? 刻有源區(qū) ? 刻多晶硅 ? 刻 PSD ? 刻 NSD ? 刻接觸孔 ? 反刻 Al 圖 514 硅柵 CMOS與非門版圖 版圖設(shè)計技巧 布局要合理 （ 1） 引出端分布是否便于使用或與其他相關(guān)電路兼容 ， 是否 符合管殼引出線排列要求 。 （ 2） 特殊要求的單元是否安排合理 ， 如 p阱與 p管漏源 p+區(qū)離 遠一些 ， 使 ?pnp?， 抑制 Latchup， 尤其要注意輸出級 。 （ 3） 布局是否緊湊 ， 以節(jié)約芯片面積 ， 一般盡可能將各單元設(shè) 計成方形 。 （ 4）考慮到熱場對器件工作的影響，應(yīng)注意電路溫度分布是否 合理。 單元配置恰當 （ 1） 芯片面積降低 10%， 管芯成品率 /圓片可提高 15?20%。 （ 2） 多用并聯(lián)形式 ， 如或非門 ， 少用串聯(lián)形式 ， 如與非門 。 （ 3）大跨導(dǎo)管采用梳狀或馬蹄形，小跨導(dǎo)管采用條狀圖形，使 圖形排列盡可能規(guī)整。 啞鈴狀晶體管 (W過小 ) 布線合理 ? 布線面積往往為其電路元器件總面積的幾倍 ， 在多層布線中 尤為突出 。 ? 擴散條 /多晶硅互連多為垂直方向 ， 金屬連線為水平方向 ， 電 源地線采用金屬線 ， 與其他金屬線平行 。 ? 長連線選用金屬 。 ? 多晶硅穿過 Al線下面時 ， 長度盡可能短 ， 以降低寄生電容 。 ? 注意 VDD、 VSS布線 ， 連線要有適當?shù)膶挾?。 ? 容易引起 “ 串擾 ” 的布線 （ 主要為傳送不同信號的連線 ） ，一 定要遠離 ， 不可靠攏平行排列 。 CMOS電路版圖設(shè)計對布線和接觸孔的特殊要求 （ 1） 為抑制 Latch up， 要特別注意合理布置電源接觸孔和 VDD 引線 ， 減小橫向電流密度和橫向電阻 RS、 RW。 ? 采用接襯底的環(huán)行 VDD布線 。 ? 增多 VDD、 VSS接觸孔 ， 加大接觸面積 ， 增加連線牢固性 。 ? 對每一個 VDD孔 ， 在相鄰阱中配以對應(yīng)的 VSS接觸孔 ， 以增加 并行電流通路 。 ? 盡量使 VDD、 VSS接觸孔的長邊相互平行 。 ? 接 VDD的孔盡可能離阱近一些 。 ? 接 VSS的孔盡可能安排在阱的所有邊上（ P阱）。 （ 2） 盡量不要使多晶硅位于 p+區(qū)域上 多晶硅大多用 n+摻雜 ， 以獲得較低的電阻率 。 若多晶硅位于 p+區(qū)域 ， 在進行 p+摻雜時多晶硅已存在 ， 同時對其也進行了摻雜 —— 導(dǎo)致雜質(zhì)補償 ， 使 ?多晶硅 ?。 （ 3） 金屬間距應(yīng)留得較大一些 （ 3?或 4?） 因為，金屬對光得反射能力強，使得光刻時難以精確分辨金屬邊緣。應(yīng)適當留以裕量。 雙層金屬布線時的優(yōu)化方案 （ 1） 全局電源線 、 地線和時鐘線用第二層金屬線 。 （ 2） 電源支線和信號線用第一層金屬線 （ 兩層金屬之間用 通孔連接 ） 。 （ 3）盡可能使兩層金屬互相垂直，減小交疊部分得面積。 Some Examples of Layout Design 一、晶體管 一維交叉對稱消除線性梯度效應(yīng) 對管匹配 Dummy Dummy 二、電阻 ? 集成電路中常用的電阻有：多晶電阻，阱電阻，擴散電阻，金屬薄膜電阻等。 1. 多晶電阻 R□ 較大，性能較好。一般工藝Double Poly時， Ploy1為 Gate，Ploy2做電阻。 2. 阱電阻 R□ 最大，相鄰電阻間距也大。 口RLWRRc o n t ???? 23. 擴散電阻 ? pSub上 N+擴散電阻 → 噪聲大， nWell中 P+擴散電阻要好些。無 Double Poly時，擴散電阻是比較好的選擇。 Ploy resistor 4. 電阻匹配 三、電容 ACd??1. MOS電容 C較大，制作方便。 ?A 100 100181。m2 2. PIP電容 3. MIM電容 4. 三明治電容 5. 電容陣列 ? 共心布局 (Common Centroid) ? 啞元 (Dummy Cell) 第五章 MOS集成電路的版圖設(shè)計 MOSIC 的寄生效應(yīng)：寄生電阻、寄生電容、寄生溝道、 閂鎖效應(yīng)及其抑制改善措施。 了解 Al柵工藝主要流程，掌握 P阱 /N阱硅柵 CMOS工藝 流程，通過比較 Al柵和硅柵的流程理解“自對準 ”工藝 。 重點掌握 CMOS電路版圖識別與提取，包括硅柵和 Al柵。 結(jié)合實驗掌握版圖設(shè)計的軟件使用和基本設(shè)計技巧。
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