集成電路工藝原理(已改無錯字)
2022-08-20 00:26:49 本頁面
【正文】 以 MTF＝ ，如果曝光系統(tǒng)的 NA＝ ， ?＝ 436 nm（ gline）， S＝ 。則光刻分辨的最小尺寸為多少？如果采用 i線光源呢？ 解：從圖中可以知道： S＝ ， MTF＝ ，對應于 ?=?0。 ?＝ 436 nm時， ?0＝ NA/?＝ ( )＝ 即分辨率為每 mm的 （ ?=?0 ） ?最小線條的分辨尺寸為 mm或 pitch＝ mm 若 ?＝ 365 nm（ iline），則分辨尺寸可減小為 mm。 DOFgline＝ mm， DOFiline＝ mm（假定 k2＝ 1） 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 28/34 光刻膠 光刻膠的作用：對于入射光子有化學變化，通過顯影，從而實現(xiàn)圖形轉移。 靈敏度：單位面積的膠曝光所需的光能量： mJ/cm2 負膠 烴基高分子材料 正膠分辨率高于負膠 抗蝕性：刻蝕和離子注入 正膠 IC主導 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 29/34 汞燈 436nm (g線 )和 365nm (i線 )光刻膠的組成 （正膠－ positive photoresist, DNQ） a) 基底：樹脂 是一種低分子量的酚醛樹脂 (novolac, a polymer) 本身溶于顯影液，溶解速率為 15 nm/s。 b)光敏材料（ PAC－ photoactive pounds) 二氮醌 (diazoquinone, DQ) ?DQ不溶于顯影液，光刻膠在顯影液中的溶解速率為 1－ 2 nm/sec ?光照后， DQ結構發(fā)生重新排列，成為溶于顯影液的烴基酸（ TMAH四甲基氫氧化銨 —— 典型顯影液） 光照后，光刻膠在顯影液中的溶解速度為 100－ 200nm/s c)溶劑 是醋酸丁脂、二甲苯、乙酸溶纖劑的混合物，用于調節(jié)光刻膠的粘度。 前烘后膜上樹脂 : PAC＝ 1:1 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 30/34 負膠 (Negative Optical Photoresist) 當 VLSI電路需分辨率達 2 mm之前，基本上是采用負性光刻膠。 負膠在顯影時線條會變粗，使其分辨率不能達到很高。 但在分辨率要求不太高的情況，負膠也有其優(yōu)點： a)對襯底表面粘附性好 b)抗刻蝕能力強 c)曝光時間短，產(chǎn)量高
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