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正文內(nèi)容

集成電路原理與設(shè)計重點內(nèi)容總結(jié)(更新版)

2025-08-03 19:07上一頁面

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【正文】 不固定,可以雙向傳送信號的MOS晶體管叫做傳輸管(pass transistor)或傳輸門(Transmission Gate,簡稱TG)。畫出用靜態(tài)CMOS兩輸入或非門的晶體管級電路圖和版圖:復(fù)雜邏輯門的口訣:(P245) NMOS下拉網(wǎng)絡(luò):NMOS管串聯(lián)實現(xiàn)與操作,并聯(lián)實現(xiàn)或操作。CMOS電路相對NMOS電路有很多優(yōu)點,特別是CMOS電路低功耗的優(yōu)點對提高集成密度非常有利。VDD=5V,VTN=,VTP=。n管導(dǎo)通,p管截止222。(3)使襯底加反向偏壓。閂鎖效應(yīng):(P27)閂鎖效應(yīng)是CMOS集成電路存在一種寄生電路的效應(yīng),它會導(dǎo)致VDD和VSS短路,使得晶片損毀。場區(qū)氧化首先,在硅片上用熱生長方法形成一薄層SiO2作為緩沖層,它的作用是減少硅和氮化硅之間的應(yīng)力。常用器件的端口電極符號器件名稱端口符號縮寫Q(雙極型晶體管)M(MOS場效應(yīng)管)J(結(jié)型場效應(yīng)管)B(砷化鎵場效應(yīng)管)C(集電極),B(基極),E(發(fā)射極),S(襯底)D(漏極),G(柵極),S(源極),B(襯底)D(漏極),G(柵極),S(源極)D(漏極),G(柵極),S(源極)電路分析類型.OP 直流工作點分析 .TRAN 瞬態(tài)分析.DC 直流掃描分析 .FOUR 傅里葉分析.TF 傳輸函數(shù)計算 .MC 蒙特卡羅分析.SENS 靈敏度分析 .STEP 參數(shù)掃描分析.AC 交流小信號分析 .WCASE 最壞情況分析.NOISE 噪聲分析 .TEMP 溫度設(shè)置第二章 集成電路制作工藝集成電路加工過程中的薄膜:(P15)熱氧化膜、電介質(zhì)層、外延層、多晶硅、金屬薄膜。(簡稱CV定律),器件的所有幾何尺寸都縮小K倍,襯底摻雜濃度增加K2倍。集成度提高原因:一是特征尺寸不斷縮小,大約每三年縮小倍;二是芯片面積不斷增大,;三是器件和電路結(jié)構(gòu)的不斷改進。內(nèi)部電場強度增大,載流子漂移速度飽和,限制器件驅(qū)動電流的增加。因此對同樣的掩膜版,用負膠和正膠在硅片上得到是圖形剛好相反。接下來進行熱氧化,由于有源區(qū)有氮化硅保護,不會被氧化,只在場區(qū)通過氧和硅起反應(yīng)生成二氧化硅。由于Q1和Q2交叉耦合形成正反饋回路,一旦其中有一個晶體管導(dǎo)通,電流將在Q1和Q2之間循環(huán)放大。(6)采用SOICMOS技術(shù)是消除閂鎖效應(yīng)的最有效途徑。直流電壓傳輸特性:瞬態(tài)特性: 傳輸延遲時間、負載電容、最高頻率。CMOS反相器中的PMOS管是作為開關(guān)器件,在輸出高電平時只有PMOS導(dǎo)通,在輸出低電平時只有NMOS導(dǎo)通,因此是無比電路,可以獲得最大的邏輯擺幅,而且不存在直流導(dǎo)通電流,有利于減小靜態(tài)功耗。設(shè)計一個CMOS或非門:(P243244) 設(shè)計一個兩輸入或非門,已知,CL=1pF,VDD=5V,VTN=,VTP=,有KN39。請畫出用靜態(tài)CMOS實現(xiàn)函數(shù)的晶體管級電路圖:(P246)簡述類NMOS電路的優(yōu)缺點:(P251)優(yōu)點:n輸入邏輯門需要(n+1)個MOS管,在實現(xiàn)復(fù)雜邏輯門時有利于減小面積。傳輸門為CMOS邏輯設(shè)計增加了靈活性,可以簡化邏輯電路,極大減少所需的晶體管數(shù)目,有利于提高速度和集成度。由于經(jīng)過反相器輸出,提高了輸出驅(qū)動能力,另外也解決了富NMOS與富NMOS動態(tài)電路(或富PMOS)不能直接級聯(lián)的問題。對于常規(guī)CMOS邏輯電路,在穩(wěn)態(tài)時不存在直流導(dǎo)通電流,理想情況下靜態(tài)功耗是零。從提高速度考慮,希望采用高的電壓。短路功耗還與電源電壓和器件的閾值電壓有關(guān)。鎖存器的輸出直接跟隨輸入信號變化,因此即使一個窄脈沖或者假信號,只要脈寬大于電路的延遲時間,都會引起輸出狀態(tài)變化。二極管D1是和PMOS源、漏區(qū)同時形成,是p+n-結(jié)構(gòu),二極管D2是和NMOS源、漏區(qū)同時形成的,是n+p-結(jié)構(gòu)。由于DRAM集成度高、功耗低,適合于計算機的內(nèi)存。若寫“1”則VBL=VDD,VBL=0,使V1充電到高電平,V2放電到低電平,從而寫入信息。 硬核:模型具有版圖級。(4)電路網(wǎng)表經(jīng)仿真驗證后,進行模塊劃分、布局規(guī)劃和布局布線,最后得到芯
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