集成電路光刻工藝ppt課件-在線瀏覽
2025-06-24 07:17本頁面
【正文】 有電子束曝光和 X射線曝光等。 2 光刻質(zhì)量要求與分析 一、 光刻的質(zhì)量要求 ： 光刻的質(zhì)量直接影響到器件的性能，成品率和可靠性。 11 光刻膠的質(zhì)量和放置壽命 (6個(gè)月 ). 顆粒 ?m, 金屬離子含量很少 化學(xué)穩(wěn)定 , 光 /熱穩(wěn)定度 粘度 12 二、光刻的質(zhì)量分析 ： （ 1）影響分辨率的因素： A、 光刻掩膜版與光刻膠的接觸 。 C、 掩膜版的質(zhì)量和套刻精度直接影響光刻精度 。 E、 光刻膠膜厚度和質(zhì)量的影響： F、 曝光時(shí)間的影響 ： 13 （ 2）針孔 （ 3）小島 （ 4）浮膠 （ 5）毛刺、鉆蝕 G、 襯底反射影響： H、 顯影和刻蝕的影響： 14 167。 一 、 正膠和負(fù)膠： 根據(jù)光刻膠在曝光前后溶解特性的變化 ，可將分為正膠和負(fù)膠 。 4 光刻技術(shù)簡(jiǎn)介 紫外光為光源的曝光方式 : 接觸式曝光 、 接近式曝光 、 投影式曝光三種 其他曝光方式 : X射線曝光 、 電子束曝光 、 直接分步重復(fù)曝光 、 深紫外線曝光 。 23 接近式曝光是以犧牲分辨率來延長(zhǎng)了掩膜版的壽命 大尺寸和小尺寸器件上同時(shí)保持線寬容限還有困難 。 二、接近式曝光 24 ?避免了掩膜版與硅片表面的摩擦，延長(zhǎng)了掩膜版的壽命。 ?消除了由于掩膜版圖形線寬過小而產(chǎn)生的光衍射效應(yīng)，以及掩膜版與硅片表面接觸不平整而產(chǎn)生的光散射現(xiàn)象。 二 、 要求掩
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