集成電路制造工藝及常用設備-在線瀏覽
2025-02-07 18:43本頁面
【正文】 。 圖形轉(zhuǎn)移工藝 襯底 淀積薄膜 勻膠、前烘 曝 光 掩模版 紫外光 顯影、堅膜 腐 蝕 去 膠 S i S i正膠 負膠 勻膠 正膠和負膠 曝光 ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ ↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓ 掩膜版 紫外光 顯影 正膠感光區(qū)域溶于顯影液 負膠未感光區(qū)域溶于顯影液 光學曝光的三種曝光方式 接觸式曝光 接近式曝光 投影式曝光 接觸式曝光 接觸式曝光是掩膜板直接同光刻膠接觸，它具有設備簡單、分辨率高的優(yōu)點。由于接觸式曝光時掩膜版同光刻膠直接接觸，所以掩膜版容易損傷，圖形缺陷多、管芯成品率低、不適合 VLSI生產(chǎn)。 投影式曝光 光刻工藝中的投影式曝光分 1 : 4 : 5 : 1幾種。 stepper是 IC制造工藝中最重要的設備，也是最昂貴的設備， 特殊的光刻工藝 LIGA技術 剝離技術（ Lift Off） 膜的工藝要求 ● 好的臺階覆蓋（ step coverage）能力。 ● 好的厚度均勻性。 ● 受控制的化學劑量。 ● 好的電學性能。 4. 薄膜工藝 CVD法制作 SiO2薄膜 APCVD、 LPCVD、 PECVD或濺射等方式都可以得到 SiO2薄膜。 采用 LPCVD、 PECVD或濺射等方式制作薄膜的最大優(yōu)點是工作溫度比較低，其中 LTO 的工作溫度是 620℃ 左右， PECVD方式淀積 SiO2的溫度可以在 200 ℃ 以下。濺射方式制作 SiO2薄膜 的溫度低、質(zhì)量好，但是效率低、成本高。它最重要的性質(zhì)是對 H2O、 O2 、 Na、 Al、Ga、 In等都具有極強的擴散阻擋能力。 Si3N4薄膜的性質(zhì) 勻膠、曝光、顯影、堅膜、刻蝕 Si3N4 去膠、清洗、場區(qū)氧化 1μm Si3N4作為硅片高溫局部氧化的掩蔽層 Si3N4 膜 〈 100〉 / 〈 111〉 的腐蝕比達 400： 1 Si3N4 Si3N4作為硅片濕法腐蝕的掩蔽膜 Si3N4作為硅芯片的保護膜 P 型 硅 （ 1 0 0 ） 5 5 0 Ω c mN W e l l P W e l lPNP + P + N + N +鋁焊盤 鈍化層 鈍化結構 SiO2 /Si PSG /SiO2 /Si Si3N4 /Si Si3N4 / SiO2 / Si 可動離子 密度 (/ cm2) ＞ 1013 1012 1010 1010 不同材料的阻鈉能力 雖然 Si3N4/Si結構具有最好的阻鈉能力，實際上由于界面存在極大的應力與極高的界面態(tài)密度，所以都采用 Si3N4/ SiO2/ Si 結構。 ■ 鋁硅之間容易產(chǎn)生“鋁釘”，深度可 達 1μm，所以對于淺結工藝很容易造 成 PN結短路。 直流陰極濺射是荷能粒子（一般采用正離子）轟擊處在陰極的靶材，把靶材上的原子濺射到陽極的硅片上。 ～ 射頻濺射 直流濺射 + E C 靶 載片臺 PECVD PECVD是讓兩種反應氣體在襯底表面發(fā)生化學反應，如： PECVD淀積Si3N4 。
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