集成電路的制造工藝流程-展示頁
2025-01-12 18:46本頁面
【正文】 ople working in it). S i n c e we a r e n o t m a k i n g microprocessors here and we don39。 12??300mm。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S 集成電路中電阻 1 AL SiO2 R+ P P+ PSUB N+ R VCC N+BL Nepi P+ 基區(qū)擴(kuò)散電阻 集成電路中電阻 2 SiO2 R N+ P+ PSUB R N+BL Nepi P+ 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散電阻 集成電路中電阻 3 基區(qū)溝道電阻 SiO2 R N+ P+ PSUB R N+BL Nepi P+ P 集成電路中電阻 4 外延層電阻 SiO2 R P+ PSUB R Nepi P+ P N+ 集成電路中電阻 5 MOS中多晶硅電阻 SiO2 Si 多晶硅 氧化層 其它： MOS管電阻 集成電路中電容 1 SiO2 A P+ PSUB B+ N+BL N+E P+ N P+I A B+ Cjs 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散層 — 隔離層 — 隱埋層擴(kuò)散層 PN電容 集成電路中電容 2 MOS電容 Al SiO2 AL P+ PSUB Nepi P+ N+ N+ 微電子制造工藝 IC常用術(shù)語 圓片：硅片 芯片 (Chip, Die)： 6?、 8 ?：硅（園）片直徑： 1 ?＝ 6??150mm。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 13。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 12。 光刻膠 NSi P As CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 11。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 10。光 Ⅴ IP+區(qū)光刻， P+區(qū)注入。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 8。 NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 7。 光刻膠 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 6。光 II有源區(qū)光刻 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 5。阱區(qū)注入及推進(jìn)，形成阱區(qū) NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 3。 ? Al— NSi 歐姆接觸： ND≥1019cm3， SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P N+ 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 擴(kuò)散 第五次光刻 — 引線接觸孔 ? SiO2 N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 第六次光刻 — 金屬化內(nèi)連線：反刻鋁 ? SiO2 AL N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 蒸鋁 CMOS工藝集成電路 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 1。 VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長(zhǎng)硅 SiCl4+H2→Si+HCl 2。高溫時(shí)在 Si中的擴(kuò)散系數(shù)小， 以減小上推 3。減小寄生 PNP管的影響 SiO2 PSUB N+BL 要求： 1。經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片 第一次光刻 — N+埋層擴(kuò)散孔 ? 1。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。電流驅(qū)動(dòng)能力低 半導(dǎo)體制造環(huán)境要求 ? 主要污染源：微塵顆粒、中金屬離子、有機(jī)物殘留物和鈉離子等輕金屬例子。然後晶圓將依晶粒 為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒 三、 IC構(gòu)裝制程 ? IC構(gòu)裝製程（ Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路 ? 目的：是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。半導(dǎo)體制造工藝流程 半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí) ? 本征材料：純硅 910個(gè) 9 ? N型硅： 摻入 V族元素 磷 P、砷 As、銻Sb ? P型硅： 摻入 III族元素 — 鎵 Ga、硼 B ? PN結(jié)： N P + + + + + 半導(dǎo)體元件制造過程可分為 ? 前段（ Front End）制程 晶圓處理制程（ Wafer Fabrication；簡(jiǎn)稱 Wafer Fab）、 晶圓針測(cè)制程（ Wafer Probe）； ? 後段（ Back End） 構(gòu)裝（ Packaging）、 測(cè)試制程（ Initial Test and Final Test） 一、晶圓處理制程 ? 晶圓處理制程之主要工作為在矽晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程 ，以微處理器（
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