集成電路制造工藝及設備-展示頁
2025-05-09 13:59本頁面
【正文】 SiO2 Si Si + O2 = SiO2 硅的熱氧化分干氧和濕氧兩種。 如果氧化前已存在厚度為 t0 的氧化層，則（ 311）微分方程的解為：（ tOX ：是總的氧化層厚度） ? ????? tBAtt OXOX 2（ 4 12） BAtt 020 ???12NDHPB g???????????gS hkDA 112式中 在各種工藝條件下，參數 A和 B都是已知的， t 是氧化時間。復 習 1. 高溫氧化工藝 硅的熱氧化 硅的熱氧化是指在高溫下，硅片表面同氧氣或水進行反應，生成 SiO2 。 硅的熱氧化有：干氧、濕氧、水汽氧化三種。 τ 是一個時間參數，單位是小時（ h）。干氧是在高溫下氧分子與硅表面的原子反應生成 SiO2 。 ● 水汽氧化的 SiO2 膜結構疏松，表面有斑點 和缺陷，含水量多，對雜質的掩蔽能力差， 所以在工藝中很少單獨采用。其缺點是表面有硅烷醇存在，使 SiO2 膜與光刻膠接觸不良，光刻時容易浮膠。 在實際工藝應用中，生長高質量的幾百 197。 SiO2薄膜厚度需要幾千 197。 ● 熱氧化生長的 SiO2薄膜質量好，但是反應溫度比較高。 ● 離子注入可以通過分別調節(jié)注入離子的能量、數量，精確地控制摻雜的深度和濃度，所以可以制備理想的雜質分布。 ● 擴散法是在高溫下摻雜，離子注入法摻雜一 般在室溫下進行（也可以在加溫或低溫下進 行）。 ● 熱擴散時只能采用 SiO2 等少數耐高溫的介質 進行局部摻雜，但是離子注入法可以采用光 刻膠作為掩蔽膜，進行局部注入摻雜。 在離子注入機中，利用電流積分儀測量注入的離子總數 N： ????tS id tqqQSNN01式中： NS 單位面積的注入劑量（個 /cm2 ）， S 是掃描面積（ cm2 ）， q 是一個離子的電荷（ 1019庫侖），Q 是注入到靶中的總電荷量（庫侖）， i是注入的束流（安培）， t 是注入時間（秒）。 例題：如果注入劑量是 5 1015，束流1mA，求注入一片 6英寸硅片的時間 ISqNt S?t=（ 1019 5 1015 ） / 1 103 =141秒 根據公式 （ 46） 注入劑量、標準偏差和峰值濃度之間的近似關系： pSRNN??m a x（ 6 14
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