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集成電路制造工藝北京大學(xué)-展示頁

2025-05-09 13:59本頁面
  

【正文】 示意圖 集成電路工藝小結(jié) ?前工序 ?圖形轉(zhuǎn)換技術(shù):主要包括光刻、刻蝕等技術(shù) ?薄膜制備技術(shù):主要包括外延、氧化、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積 (如濺射、蒸發(fā) ) 等 ?摻雜技術(shù):主要包括擴(kuò)散和離子注入等技術(shù) 集成電路工藝小結(jié) ?后工序 ?劃片 ?封裝 ?測(cè)試 ?老化 ?篩選 集成電路工藝小結(jié) ?輔助工序 ?超凈廠房技術(shù) ?超純水、高純氣體制備技術(shù) ?光刻掩膜版制備技術(shù) ?材料準(zhǔn)備技術(shù) 作 業(yè) ?設(shè)計(jì)制備 NMOSFET的工藝,并畫出流程圖 ?寫一篇對(duì)本課程感想的小論文 。 ?可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜 離子注入系統(tǒng)的原理示意圖 離子注入到無定形靶中的高斯分布情況 退 火 ?退火:也叫熱處理,集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火 ?激活雜質(zhì):使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置,以便具有電活性,產(chǎn)生自由載流子,起到雜質(zhì)的作用 ?消除損傷 ?退火方式: ?爐退火 ?快速退火:脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等 ) 氧化工藝 ?氧化:制備 SiO2層 ?SiO2的性質(zhì)及其作用 ?SiO2是一種十分理想的電絕緣材料,它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng) 氧化硅層的主要作用 ?在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì),器件的組成部分 ?擴(kuò)散時(shí)的掩蔽層,離子注入的 (有時(shí)與光刻膠、 Si3N4層一起使用 )阻擋層 ?作為集成電路的隔離介質(zhì)材料 ?作為電容器的絕緣介質(zhì)材料 ?作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料 ?作為對(duì)器件和電路進(jìn)行鈍化的鈍化層材料 SiO2的制備方法 ?熱氧化法 ?干氧氧化 ?水蒸汽氧化 ?濕氧氧化 ?干氧-濕氧-干氧 (簡(jiǎn)稱干濕干 )氧化法 ?氫氧合成氧化 ?化學(xué)氣相淀積法 ?熱分解淀積法 ?濺射法 進(jìn)行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?化學(xué)汽相淀積 (Chemical Vapor Deposition):通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程 ?CVD技術(shù)特點(diǎn): ?具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn) ?CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜,例如摻雜或不摻雜的 SiO多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?常壓化學(xué)汽相淀積 (APCVD) ?低壓化學(xué)汽相淀積 (LPCVD) ?等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD) APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 平行板型 PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?單晶硅的化學(xué)汽相淀積 (外延 ): 一般地,將在單晶襯底上生長單晶材料的工藝叫做外延,生長有外延層的晶體片叫做外延片 ?二氧化硅的化學(xué)汽相淀積
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