【總結(jié)】....生產(chǎn)實習(xí)課程名稱模擬集成電路設(shè)計實習(xí)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院_專業(yè)班級____10微電子2班________學(xué)號3110007483學(xué)生姓名____何俊鑫_____
2025-06-30 05:59
【總結(jié)】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實驗地點:信息科學(xué)實驗中心研究生實驗訓(xùn)練基地馮立松汪瀚2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(cal
2025-03-05 06:15
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電子教案第4章4多級放大電路及模擬集成電路基礎(chǔ)多級放大電路的耦合方式多級放大電路的性能分析模擬集成電路基礎(chǔ)3多級放大電路的耦合方式直接耦合阻容耦合變壓器耦合光電耦合不論采用何種耦合方式,都必須保證:?前級的輸出信號能順
2025-01-19 14:54
【總結(jié)】電阻和電容的匹配?測得的器件比率相對于預(yù)期比率的偏離?比如一對10kΩ的電阻,制作后,測得為。兩電阻的比率為,比預(yù)期比率略大1%,這對電阻表現(xiàn)出1%的失配。失配的原因-隨機變化失配的原因-隨機變化?面變化面積失配kms???兩個電容匹配?匹配電容的
2025-08-09 15:44
【總結(jié)】第九章版圖設(shè)計實例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
2025-01-07 01:53
【總結(jié)】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應(yīng)管的分類:(電場效應(yīng),單
2025-02-21 10:49
【總結(jié)】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(calibre)(spectre)(gdsii)全定制2023/3/
【總結(jié)】第七章集成電路版圖設(shè)計版圖設(shè)計概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計者將設(shè)計并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓撲定義等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來制造掩膜。版圖的設(shè)計有特定的規(guī)則,這些規(guī)則是集成電路制造廠家根據(jù)自己的工藝特點而制定的。不同的工藝,有不同的設(shè)計規(guī)則。
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】模擬集成電路設(shè)計訓(xùn)練報告題目:用運算放大器實現(xiàn)的振蕩器院系:信息學(xué)院電子工程系專業(yè):集成電路設(shè)計與集成系統(tǒng)學(xué)號:姓名:……指導(dǎo)教師:…..模擬集成電路設(shè)計實驗2目錄一、實驗環(huán)境..........................................
2025-08-17 12:07
【總結(jié)】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)第七章集成電路版圖設(shè)計華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計中心殷瑞祥教授版圖設(shè)計概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計者將設(shè)計并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓撲定義等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來制造掩膜。版圖的設(shè)
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)差分式放大電路的傳輸特性集成電路運算放大器實際集成運算放大器的主要參數(shù)和對應(yīng)用電路的影響差分式放大電路模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第五版)課件康華光模擬集成電路中的直流偏置技術(shù)BJT電流源電路FET電流源1.鏡像電流源2.微電流源3.高輸出阻抗電流源4.
2025-01-02 09:03
【總結(jié)】Chapter51第5章模擬集成電路及應(yīng)用Chapter52主要內(nèi)容?集成運算放大器簡介?集成運算放大器的線性應(yīng)用?集成運算放大器的非線性應(yīng)用Chapter53集成電路:采用半導(dǎo)體制造工藝,在一小塊硅單晶片上制作的具有特定功能的電子線路。★集成電路的基本概念分類:模擬集成電路與數(shù)字集成電路。
2025-01-19 12:01
【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計基礎(chǔ)basicsofIClayoutdesigninstructor:ZhangQihuie-mail:河南大學(xué)HenanUniversityschoolofphyebasicsoficlayoutdesign2第八章
2025-10-07 05:16
【總結(jié)】2022/2/4JianFang1集成電路工藝和版圖設(shè)計概述JianFangICDesignCenter,UESTC2022/2/4JianFang2微電子制造工藝2022/2/4JianFang3IC常用術(shù)語園片:硅片芯片(Chip,Die):6?、8?:硅(園)片
【總結(jié)】1、與其它類型的晶體管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____縮小,CMOS電路被證明具有_較低__的制造成本。2、放大應(yīng)用時,通常使MOS管工作在_飽和_區(qū),電流受柵源過驅(qū)動電壓控制,我們定義_跨導(dǎo)_來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。3、λ為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù),對于較長的溝道,λ值____較小___(較大、較?。?。4、源跟隨器主要應(yīng)用是起到___電壓緩沖器___的作用。5、
2025-03-25 03:48