【正文】 越強(qiáng)，電負(fù)性越大，O元素非金屬性最強(qiáng)，則電負(fù)性最大的是O元素，故答案為：10； sp、sp2；O；(3)由金屬鈷的堆積方式為六方最密堆積可知配位數(shù)為12；由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鈷原子個數(shù)為12+2+3=6；由晶胞的邊長為a nm，高為c nm可知晶報的體積為a10—7cma10—7cmc10—7cm6=10—21a2ccm3，則晶胞的密度為= gcm3，故答案為：12；6；。【點睛】由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鈷原子有12個位于頂點、2個位于面心、3個位于體內(nèi)，則由均攤法確定鈷原子個數(shù)為12+2+3=6是解答難點。10．1s22s22p63s23p2 D sp3雜化 1:2 Al＜Si＜O 硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵 8 【解析】【分析】解析：1s22s22p63s23p2 D sp3雜化 1:2 Al＜Si＜O 硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵 8 【解析】【分析】（1）硅是14號元素，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律可以寫出電子排布式；硅原子最外層有4個電子，硅的IIII4相差不多，而I4比I5小很多，則最大；（2）晶體硅具有金剛石型結(jié)構(gòu)，每個硅原子連有4個硅原子，硅原子的配位數(shù)為4，則硅原子的雜化方式是sp3雜化；結(jié)合硅晶體的結(jié)構(gòu)分析硅原子與σ鍵的個數(shù)比；（3）非金屬元素的電負(fù)性大于金屬元素，非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大； （4）因為硅原子半徑比碳原子半徑要大，硅原子之間形成σ鍵后，原子間的距離比較大，p電子云之間進(jìn)行難以進(jìn)行“肩并肩”重疊或重疊程度小，所以難以形成穩(wěn)定的雙鍵及三鍵； （5）根據(jù)均攤法計算晶胞中Si原子的個數(shù)，根據(jù)m=ρV列方程進(jìn)行計算?！驹斀狻浚?）硅是14號元素，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律可以寫出電子排布式為：1s22s22p63s23p2；硅原子最外層有4個電子，硅的IIII4相差不多，而I4比I5小很多，則最大，故答案為：1s22s22p63s23p2；D；(2)晶體硅具有金剛石型結(jié)構(gòu)，每個硅原子連有4個硅原子，硅原子的配位數(shù)為4，則硅原子的雜化方式是sp3雜化；晶體中，每個Si原子與4個Si原子形成σ鍵，每一個共價鍵中Si的貢獻(xiàn)為一半，則平均1個Si原子形成2個σ鍵，則晶體硅中硅原子與σ鍵的個數(shù)比為1：2，故答案為：sp3雜化；1:2；（3）非金屬元素的電負(fù)性大于金屬元素，非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則O、Al、Si 電負(fù)性由小到大的順序是Al＜Si＜O，故答案為：Al＜Si＜O；（4）因為硅原子半徑比碳原子半徑要大，硅原子之間形成σ鍵后，原子間的距離比較大，p電子云之間進(jìn)行難以進(jìn)行“肩并肩”重疊或重疊程度小，所以難以形成穩(wěn)定的雙鍵及三鍵，故答案為：硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵；（5）由圖可知，晶胞中Si原子的個數(shù)為8+6+41=8；由質(zhì)量關(guān)系可得：molMg/mol=(a10—10cm)3ρ g/cm，解得NA=mol—1，故答案為：8；。11．1s22s22p3 Mg、Si BNNaCl SiCl4 分子間存在氫鍵 正四面體 三角錐形 12 面心立方堆積 a Cu3N解析：1s22s22p3 Mg、Si BNNaCl SiCl4 分子間存在氫鍵 正四面體 三角錐形 12 面心立方堆積 a Cu3N Cu3N+4HCl= NH4Cl+3CuCl↓ 【解析】【分析】A是空氣中含量最高的元素則A為N； D、E元素的基態(tài)原子3p能級上都有兩個未成對電子，則核外電子排布式為1s22s22p63s23p2或1s22s22p63s23p4，故D為Si、E為S，B是同周期中原子半徑最大的元素，則B是Na；C原子的最外層電子數(shù)與核外電子層數(shù)相等，則C為Al；F原子的外圍電子排布為(n1)d10ns1，則F為29號元素Cu。【詳解】(1)A為N元素，基態(tài)原子核外電子的軌道表達(dá)式為1s22s22p3；C為Al，E為S，P最外層為半充滿狀態(tài)所以第一電離能大于S，Mg的3s軌道為全滿狀態(tài)，所以第一電離能大于Al，所以介于Al和S之間的元素有Mg、Si；(2)A與硼元素按原子個數(shù)比為1∶1形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)化合物為BN；為原子晶體，B的氯化物為NaCl，為離子晶體；D的氯化物為SiCl4，為分子晶體，所以熔點由高到低為：BNNaCl SiCl4；(3)A的最簡單氫化物為NH3，分子間存在氫鍵，溶液液化；E的次高價含氧酸根為SO32，價層電子對數(shù)為4，孤電子對數(shù)為1，所以其VSEPR模型為正四面體，空間構(gòu)型為三角錐形；(4)①根據(jù)圖示可知該堆積方式為面心立方堆積，以頂點的原子分析，位于面心的原子與之相鄰，1個頂點原子為12個面共用，故配位數(shù)為12；②據(jù)圖可知面對角線上的三個晶胞相切，所以有(4r)2=2a2，解得r=a pm；該晶胞中所含F(xiàn)原子的個數(shù)為，所以質(zhì)量m=g，晶胞體積為V=a3 pm3=a31030cm3，所以密度；(5)A為N，F(xiàn)為Cu，據(jù)圖可知一個晶胞中含有Cu原子的個數(shù)為=3，含有N原子的個數(shù)為=1，所以該晶體的化學(xué)式為Cu3N；全部由非金屬元素組成的離子化合物應(yīng)為NH4Cl，氮、氯元素的化合價沒有發(fā)生變化，生成的沉淀為白色可知不是銅單質(zhì)，則銅元素化合價不變，白色沉淀為CuCl，所以該反應(yīng)的化學(xué)方程式為：Cu3N+4HCl= NH4Cl+3CuCl↓。12．第四周期第ⅣB族 TiO2為離子晶體，TiCl4和TiBr4為分子晶體，故TiO2的熔點高，TiCl4和TiBr4的結(jié)構(gòu)相似，TiBr4的相對分子質(zhì)量比的TiCl4相對分子質(zhì)量大，則T解析： 第四周期第ⅣB族 TiO2為離子晶體，TiCl4和TiBr4為分子晶體，故TiO2的熔點高，TiCl4和TiBr4的結(jié)構(gòu)相似，TiBr4的相對分子質(zhì)量比的TiCl4相對分子質(zhì)量大，則TiBr4的范德華力比TiCl4的范德華力強(qiáng)， 故TiBr4的熔點比TiCl4的熔點高 sp2雜化 sp雜化 平面三角形 金屬 1:1 6 【解析】【分析】（1）Ti原子的原子序數(shù)是22，在元素周期表中位于第四周期第ⅣB族，基態(tài)Ti原子的價層電子排布圖為；（2）比較幾種晶體的熔點，離子晶體的熔點高，分子晶體的結(jié)構(gòu)相似時，相對分子質(zhì)量越大，范德華力越強(qiáng)，熔點越高；（3）利用價層電子對數(shù)求雜化類型及分子間的空間構(gòu)型；（4）晶胞中原子個數(shù)的求法；（5）求TiO2晶體密度時，注意一個晶胞中含有2個Ti原子、4個O原子，注意晶胞參數(shù)的單位換算。【詳解】（1）Ti原子的原子序數(shù)是22，在元素周期表中位于第四周期第ⅣB族，基態(tài)Ti原子核外電子排布式為[Ar]3d24s2，基態(tài)Ti原子的價層電子排布圖為；（2）TiO2為離子晶體，TiCl4和TiBr4為分子晶體，故TiO2的熔點高，TiCl4和TiBr4的結(jié)構(gòu)相似，TiBr4的相對分子質(zhì)量比的TiCl4相對分子質(zhì)量大，則TiBr4的范德華力比TiCl4的范德華力強(qiáng)， 故TiBr4的熔點比TiCl4的熔點高；（3）COC12分子中碳原子的價層電子對數(shù)是3，故COC12分子中碳原子的雜化方式為sp2雜化，且中心原子碳原子沒有孤電子對，COCl2的空間構(gòu)型是平面三角形；CO2分子中碳原子的價層電子對數(shù)是2，故CO2分子中碳原子的雜化方式為sp雜化；（4）鈦鋁合金是金屬晶體，原子之間是由金屬鍵形成的晶體，一種鈦鋁合金具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)，在晶胞中Ti原子位于頂點和面心位置，Al原子位于棱心和體心，故在一個晶胞中Ti原子個數(shù)為：8+6=4，Al原子的個數(shù)為：12+1=4，該合金中Ti和Al原子的數(shù)量之比為:4:4=1:1；（5）①因為TiO2晶胞中Ti4+位于O2－所構(gòu)成的正八面體的體心，所以TiO2晶體中Ti4+的配位數(shù)是6； ②根據(jù)晶胞圖可知，Ti原子8個在頂點、一個在體心，O原子4個在面心、2個在體心，故該晶胞中Ti原子個數(shù)為8+1=2，O原子的個數(shù)為4+2=4，(a107)(b107)(c107) NA=482+164，=gcm3 ?！军c睛】根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)進(jìn)行計算時，可利用均攤法先確定晶胞中的微粒數(shù)目，再根據(jù)：密度晶胞體積阿伏伽德羅常數(shù)=微粒數(shù)目摩爾質(zhì)