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高二化學(xué)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項訓(xùn)練單元提高題學(xué)能測試-資料下載頁

2025-04-05 04:45本頁面
  

【正文】 于周期表中第4周期第ⅡB族,基態(tài)Zn2+的價電子排布式為3d10;C、N、O是同一周期的元素,從左到右電負(fù)性減小,電負(fù)性由大到小的順序是ONCH。(2)N原子價層電子對個數(shù)是4,雜化軌道類型為sp3;從分子極性和氫鍵兩個角度解釋;(3)根據(jù)配位數(shù)的定義判斷;(4)1 mol IMI中含有5molCN、6molCH、1molCH,共121023個σ鍵。(5)從晶格能大小的角度解釋;(6)S2-做面心立方最密堆積,Zn2+做四面體填隙,根據(jù)結(jié)合晶胞邊長和體對角線的關(guān)系、密度公式ρ=m247。V計算?!驹斀狻浚?)Zn為30號元素,基態(tài)Zn2+的價電子排布式為3d10;一水合甘氨酸鋅中所涉及的非金屬元素C、N、O、H,C、N、O是同一周期的元素,從左到右電負(fù)性減小,電負(fù)性由大到小的順序是ONCH。(2)甘氨酸(H2NCH2COOH)中N原子形成三個σ鍵,孤電子對為 =1,N原子價層電子對個數(shù)是4,雜化軌道類型為sp3;甘氨酸易溶于水,因為:甘氨酸極性分子,且分子中的氨基和羧基都能與水分子形成氫鍵。(3)Zn與甘氨酸中的氧和氮原子形成4個配位鍵,和水中氧形成一個配位鍵,一水合甘氨酸鋅中Zn2+的配位數(shù)為5。(4) [Zn(IMI)4](ClO4)2是Zn2+的另一種配合物,IMI的結(jié)構(gòu)為,則1 mol IMI中含有5molCN、6molCH、1molCH,共121023個σ鍵。(5)常溫下IMI的某種衍生物與甘氨酸形成的離子化合物為液態(tài)而非固態(tài),原因是陰陽離子半徑大,電荷小,形成的離子晶體晶格能小,熔點低。(6)①S2-為面心立方最密堆積,Zn2+做四面體填隙,所以晶體中與Zn2+等距且最近的S2-形成的立體圖形為正四面體形,Zn2+填入S2組成的正四面體空隙中;②由①不能判斷出S2 、Zn2+相切;晶體的密度為dgcm-3,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,一個晶胞中含有Zn2+的個數(shù)為4,S2-的個數(shù)為8 +6 =4個,不妨取1mol這樣的晶胞,即有NA個這樣的晶胞,設(shè)晶胞的邊長為Ccm,一個晶胞的體積為V=c3cm3,則晶體密度為ρ== ,所以C= cm,由于晶體中Zn2+和S2-原子之間的最短距離為體對角線的 ,所以該晶體中S2-和Zn2+之間的最短距離為 cm= cm,S2半徑為a pm,若要使SZn2+相切,則Zn2+半徑為(1010a)pm?!军c睛】本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及核外電子排布、空間構(gòu)型、電離能、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶胞計算等,注意晶胞中原子分?jǐn)偤途О芏鹊挠嬎恪?1.1s22s22p63s23p63d9 N>O>S sp3 離子 2NA CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體,SO42所帶電荷比NO3大,故CuSO4晶解析:1s22s22p63s23p63d9 N>O>S sp3 離子 2NA CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體,SO42所帶電荷比NO3大,故CuSO4晶格能較大,熔點較高 A (,) Cu 74% 【解析】【分析】(1)陽離子為Cu 2+,Cu原子核外電子數(shù)為29,原子形成陽離子時,先失去高能層中電子,同一能層先失去高能級中電子;同主族自上而下元素第一電離能減小,N元素原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能高于同周期相鄰元素的;(2)NH3中N原子形成3個NH,含有1對孤對電子,VSEPR模型為四面體;[Cu(NH3)4](NO3)2由[Cu(NH3)4]2+ 與NO3構(gòu)成,是離子化合物;(3)CN與N2互為等電子體,CN中C、N之間形成C≡N三鍵,三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵;將N原子用碳原子與1個單位負(fù)電荷替換可得到與CN互為等電子體的一種離子;(4)離子電荷越多,晶格能越大,物質(zhì)的熔點越高;(5)同種非金屬元素之間形成非極性共價鍵,碘為分子晶體,碘晶體中的碘原子間存在非極性鍵和范德華力,晶胞中占據(jù)頂點和面心,碘分子的排列有2種不同的取向;(6)晶胞原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0)、B為(1,0,0)、C為(,),如圖坐標(biāo)系中,A為處于坐標(biāo)系中的原點(定義為O),則C處于晶胞體心位置,A、D、C的連線處于體對角線線上,且D處于A、C連線的中點位置,D到晶胞左側(cè)面距離為參數(shù)x,D到晶胞前面的距離為參數(shù)y,D到晶胞下底面距離為參數(shù)z;計算晶胞中白色球、黑色球數(shù)目,結(jié)合化學(xué)式確定代表的元素;金屬銅是面心立方最密堆積方式,Cu原子處于頂點與面心,頂點Cu原子與面心Cu原子相鄰,每個頂點為8個晶胞共用,每個面為2個晶胞共用;設(shè)Cu原子半徑為r,則晶胞棱長為2r,計算晶胞中Cu原子總體積,該晶胞中Cu原子的空間利用率。【詳解】(1)陽離子為Cu 2+,Cu原子核外電子數(shù)為29,陽離子的基態(tài)核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d9;由元素周期律可知,同主族自上而下元素第一電離能減小,N元素原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能高于同周期相鄰元素的,故第一電離能為:N>O>S;(2)NH3中N原子形成3個NH,含有1對孤對電子,雜化軌道數(shù)目為4,VSEPR模型為四面體,中心N原子采取sp3雜化;[Cu(NH3)4]2+ 與NO3形成離子化合物,則[Cu(NH3)4](NO3)2屬于離子晶體;(3)CN與N2互為等電子體,CN中C、N之間形成C≡N三鍵,三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵,1mol CN中含有的2molπ鍵,1mol CN中含有的π鍵數(shù)目為:2NA;將N原子用碳原子與1個單位負(fù)電荷替換可得到與CN互為等電子體的一種離子:;(4)CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體,SO42所帶電荷比NO3大,故CuSO4晶格能較大,熔點較高;(5)A.碘分子的排列有2種不同的取向,在頂點和面心不同,2種取向不同的碘分子以4配位數(shù)交替配位形成層結(jié)構(gòu),故A正確;B.用均攤法計算:頂點碘分子個數(shù)加面心碘分子個數(shù)=8+6=4,因此平均每個晶胞中有4個碘分子,即有8個碘原子,故B錯誤;C.碘晶體為無限延伸的空間結(jié)構(gòu),構(gòu)成微粒為分子,是分子晶體,故C錯誤;D.碘晶體中的碘原子間存在II非極性鍵,而晶體中碘分子之間存在范德華力,故D錯誤;故答案為:A;(6)晶胞原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0)、B為(1,0,0)、C為(,),如圖坐標(biāo)系中,A為處于坐標(biāo)系中的原點(定義為O),則C處于晶胞體心位置,A、D、C的連線處于體對角線線上,且D處于A、C連線的中點位置,故D到晶胞左側(cè)面距離為、到晶胞前面的距離為,到晶胞下底面距離為,故D的參數(shù)為(,);晶胞中白色球數(shù)目=1+8=2,黑色球數(shù)目=4,二者數(shù)目之比為1:2,而化學(xué)式為Cu2O,故黑色球為Cu原子、白色球為O原子,即D表示Cu原子;金屬銅是面心立方最密堆積方式,Cu原子處于頂點與面心,頂點Cu原子與面心Cu原子相鄰,每個頂點為8個晶胞共用,每個面為2個晶胞共用,設(shè)Cu原子半徑為r,則晶胞棱長為2r,晶胞體積=(2r)3,晶胞中Cu原子數(shù)目=8+6=4,晶胞中Cu原子總體積=4πr3,該晶胞中Cu原子的空間利用率是=100%=74%?!军c睛】考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),涉及元素周期律應(yīng)用、核外電子排布、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、電離能、雜化軌道、等電子體、化學(xué)鍵、等電子體、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計算等知識,側(cè)重重要的基礎(chǔ)知識考查,需要學(xué)生熟練掌握基礎(chǔ)知識,注意同周期第一電離能的異常情況。12.1s22s22p2 sp2雜化 b b、c 原子晶體 1:4 SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl+H2↑ 【解析】【分析】解析:1s22s22p2 sp2雜化 b b、c 原子晶體 1:4 SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl+H2↑ 【解析】【分析】(1)①碳原子的核電荷數(shù)為6,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為;C與相鄰C形成3個CC鍵,沒有孤對電子;②石墨烯中每個碳原子形成3個碳碳鍵,每個碳碳鍵為2個碳原子共用。每個碳原子為3個六元環(huán)共用,1個六元環(huán)含有2個碳原子;③結(jié)合烷烴和烯烴的結(jié)構(gòu)特點和性質(zhì)分析;④加熱晶體脫除制得石墨烯,反應(yīng)過程中引入碳碳雙鍵,且C元素的化合價發(fā)生改變;(2)晶體硅為原子晶體;晶體中每個Si原子形成4個SiC鍵;(3)SiHCl3與水劇烈反應(yīng),生成的兩種酸應(yīng)該是H2SiO3和HCl,結(jié)合元素的化合價升降,同時生成的氣體為H2?!驹斀狻?1)①碳原子的核電荷數(shù)為6,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為,則基態(tài)碳原子的電子排布式為1s22s22p2;C與相鄰C形成3個CC鍵,沒有孤對電子,雜化方式均為sp2;②每個碳原子形成3個碳碳鍵,每個碳碳鍵為2個碳原子共用,故每碳原子單占有的共價鍵為=,則碳原子和碳碳鍵的個數(shù)比是1:=2:3,每個碳原子為3個六元環(huán)共用,1個六元環(huán)含有2個碳原子,12g碳的物質(zhì)的量為1mol,;③a.石墨烷的分子通式為(CH)n,不滿足烷烴的分子通式CnH2n+2,則不屬于烷烴,故a錯誤;b.石墨烷屬烴類,均難溶于水,故b正確;c.石墨烷中所有碳原子均為sp3雜化,則所有碳原子不可能共平面,故c錯誤;d.石墨烷中不存在碳碳雙鍵,不可以發(fā)生加成反應(yīng),故d錯誤;故答案為b;④a.加熱晶體脫除制得石墨烯,有新物質(zhì)生成,是化學(xué)變化,故a錯誤;b.加熱晶體脫除制得石墨烯,發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiC=Si+C,屬分解反應(yīng),故b正確;c.反應(yīng)中碳、硅元素化合價發(fā)生變化,屬于氧化還原反應(yīng),故c正確;故答案為b、c;(2)晶體硅為原子晶體,SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅類似,則SiC的晶體類型為原子晶體;晶體中每個Si原子形成4個SiC鍵,則晶體中Si原子與SiC鍵的數(shù)目之比為1:4;(3)SiHCl3與水劇烈反應(yīng),生成的兩種酸應(yīng)該是H2SiO3和HCl,結(jié)合元素的化合價升降,同時生成的氣體為H2,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl+H2↑。
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