第10章工藝集成(編輯修改稿)
2025-02-27 13:55 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 雜結(jié)構(gòu)；自對準硅化物技術(shù)；淺槽隔離技術(shù)；氮化二 氧化硅柵介質(zhì)材料；暈環(huán)技術(shù)；雙摻雜多晶硅技術(shù)；化學機械拋光（ CMP）；大馬士革鑲嵌工藝和銅互連技術(shù) ?今后發(fā)展趨勢： 超薄 SOI CMOS器件，納米硅器件，雙柵器件等 天津工業(yè)大學 CMOS工藝中的基本模塊及對器件性能的影響 CMOS IC中的 阱 : ?單阱（ Single Well） ?雙阱（ Twin Well ） ?自對準雙阱（ Selfaligned Twin Well） ?阱的制備工藝： ? 高能離子注入 ? 高溫退火雜質(zhì)推進 天津工業(yè)大學 單阱 P阱 CMOS （靜態(tài)邏輯電路） N阱 CMOS （動態(tài)邏輯電路） 天津工業(yè)大學 雙阱 ?需要兩塊掩模版 ?更平坦的表面 ?先進 CMOS IC工藝中最常用的 天津工業(yè)大學 自對準雙阱工藝 優(yōu)點： 只需要一塊掩模版，減少工藝成本 缺點： 硅片表面不平坦，影響后續(xù)的介質(zhì)淀積 一般先離子注入形成 N阱，因為P在高溫下的擴散比 B慢，避免了氧化時雜質(zhì)的擴散 天津工業(yè)大學 CMOS集成電路中的柵電極（ Gate） ?普通金屬柵（鋁柵） ?多晶硅柵（雙摻雜自對準多晶硅工藝） ?高 k柵介質(zhì)及金屬柵（鎢柵及 Ta2O5） 天津工業(yè)大學 高 k柵介質(zhì)及金屬柵 ?器件尺寸縮?。?），氧化層厚度越來越薄，需要采用高 k介質(zhì)代替 SiO2作為柵介質(zhì)層 ?保證儲存足夠的電荷來開啟 MOSFET，并有效防止隧穿及擊穿 ?金屬柵具有更低
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