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第10章工藝集成(存儲版)

2025-03-01 13:55上一頁面

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【正文】 天津工業(yè)大學(xué) STI工藝流程 高壓 CVD SiO2 CMP SiO2至 Si3N4層 CMP去除 Si3N4 天津工業(yè)大學(xué) SOI技術(shù)介質(zhì)隔離 ?絕緣體上外延硅結(jié)合 STI技術(shù) ?橫向和縱向的完全隔離 ?工藝較復(fù)雜 天津工業(yè)大學(xué) 二 .雙極型電路中的隔離 pn結(jié)隔離: (形成工作區(qū)-光刻出隔離區(qū)-離子注入與工作區(qū)反型的雜質(zhì)形成 pn結(jié)),工藝簡單 缺點(diǎn):隔離區(qū)較寬,降低集成度 ; 隔離擴(kuò)散引入了大的收集區(qū)-襯底和收集區(qū)-基區(qū)電容,不利于電路速度的提高 深槽隔離: 與淺槽隔離類似 天津工業(yè)大學(xué) 167。 BiCMOS的工藝集成 ?雙極集成電路 優(yōu)點(diǎn) : 高速、驅(qū)動能力強(qiáng),適合于高精度模擬電路 ?雙極集成電路 缺點(diǎn) : 功耗高,集成度低 ? CMOS集成電路 優(yōu)點(diǎn) : 功耗低,高集成度 ? CMOS集成電路 缺點(diǎn) : 速度低,驅(qū)動能力差 BiCMOS技術(shù),利用 CMOS器件制作高集成度、低功耗部分,利用雙極器件制作輸入和輸出部分或者高速部分 天津工業(yè)大學(xué) ?以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝 ?以標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學(xué) 小結(jié) ?MOS集成電路中的隔離 LOCOS工藝 ,改進(jìn)的 LOCOS工藝,淺槽隔離 ?雙極型集成電路中的隔離 pn結(jié)隔離,深槽隔離 ?CMOS集成電路中的基本模塊 ?阱(單阱、雙阱、 自對準(zhǔn)雙阱 ) ?柵
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