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第10章工藝集成(已修改)

2025-02-17 13:55 本頁(yè)面
 

【正文】 集成電路制造工藝 東華理工 大學(xué) 彭新村 13687095856 第 10章 工藝集成 集成電路中的隔離 1 CMOS集成電路的工藝集成 2 3 4 雙極集成電路的工藝集成 BiCMOS集成電路的工藝集成 天津工業(yè)大學(xué) ?工藝集成: —— 運(yùn)用各類工藝形成電路結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程 ?CMOS集成電路的工藝集成 ?雙極型 集成電路的工藝集成 ?BiCMOS集成電路的工藝集成 天津工業(yè)大學(xué) 167。 集成電路中的隔離 ? 一 . MOS集成電路中的隔離 ?局部場(chǎng)氧化工藝( Local oxidation of silicon,LOCOS) ?改進(jìn)的 LOCOS工藝 ?淺槽隔離( Shallow trench isolation , STI) MOSFET 1 MOSFET 2寄生的厚氧MOSFETn+n+n+n+Si O 2Alp 型襯底CMOS自隔離及寄生 MOS示意圖 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS工藝流程 硅片清洗 生長(zhǎng)緩沖 SiO2層 LPCVD淀積 Si3N4 涂膠 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS掩模板 曝光 顯影 刻蝕 天津工業(yè)大學(xué) 去膠 隔離注入 熱氧化 刻蝕氮化硅 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS工藝的缺點(diǎn) 1. 鳥嘴的形成( Bird’ s beak) ?由于氧的橫向擴(kuò)散,硅的氧化反應(yīng)是各向同性的 ?氧化物在氮化硅下面的生長(zhǎng)形成鳥嘴 ?浪費(fèi)硅片的有效面積 2. 厚的氧化層造成表面凹凸
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