第10章工藝集成(專業(yè)版)
【正文】 CMOS集成電路 中的工藝集成 MOS集成電路工藝的發(fā)展： ? 70－ 80年代， nMOS為 IC主流技術(shù)： 多晶硅柵替代鋁柵，源漏自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)； 離子注入技術(shù)提高溝道和源漏區(qū)摻雜的控制能力 ? 80年代之后， CMOS工藝成為 IC主流技術(shù)： 帶側(cè)墻的漏端輕摻雜結(jié)構(gòu)；自對準(zhǔn)硅化物技術(shù)；淺槽隔離技術(shù)；氮化二 氧化硅柵介質(zhì)材料；暈環(huán)技術(shù)；雙摻雜多晶硅技術(shù)；化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP）；大馬士革鑲嵌工藝和銅互連技術(shù) ?今后發(fā)展趨勢： 超薄 SOI CMOS器件，納米硅器件，雙柵器件等 天津工業(yè)大學(xué) CMOS工藝中的基本模塊及對器件性能的影響 CMOS IC中的 阱 : ?單阱（ Single Well） ?雙阱（ Twin Well ） ?自對準(zhǔn)雙阱（ Selfaligned Twin Well） ?阱的制備工藝： ? 高能離子注入 ? 高溫退火雜質(zhì)推進(jìn) 天津工業(yè)大學(xué) 單阱 P阱 CMOS （靜態(tài)邏輯電路） N阱 CMOS （動態(tài)邏輯電路） 天津工業(yè)大學(xué) 雙阱 ?需要兩塊掩模版 ?更平坦的表面 ?先進(jìn) CMOS IC工藝中最常用的 天津工業(yè)大學(xué) 自對準(zhǔn)雙阱工藝 優(yōu)點： 只需要一塊掩模版，減少工藝成本 缺點： 硅片表面不平坦，影響后續(xù)的介質(zhì)淀積 一般先離子注入形成 N阱，因為P在高溫下的擴(kuò)散比 B慢，避免了氧化時雜質(zhì)的擴(kuò)散 天津工業(yè)大學(xué) CMOS集成電路中的柵電極（ Gate） ?普通金屬柵（鋁柵）
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