第10章工藝集成-資料下載頁
2025-02-09 13:55本頁面
【正文】 ） 天津工業(yè)大學(xué) 167。 BiCMOS的工藝集成 ?雙極集成電路 優(yōu)點(diǎn) : 高速、驅(qū)動能力強(qiáng)，適合于高精度模擬電路 ?雙極集成電路 缺點(diǎn) ： 功耗高，集成度低 ? CMOS集成電路 優(yōu)點(diǎn) ： 功耗低，高集成度 ? CMOS集成電路 缺點(diǎn) ： 速度低，驅(qū)動能力差 BiCMOS技術(shù)，利用 CMOS器件制作高集成度、低功耗部分，利用雙極器件制作輸入和輸出部分或者高速部分 天津工業(yè)大學(xué) ?以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝 ?以標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學(xué) 小結(jié) ?MOS集成電路中的隔離 LOCOS工藝 ，改進(jìn)的 LOCOS工藝，淺槽隔離 ?雙極型集成電路中的隔離 pn結(jié)隔離，深槽隔離 ?CMOS集成電路中的基本模塊 ?阱（單阱、雙阱、 自對準(zhǔn)雙阱 ） ?柵電極（ 多晶硅柵 、金屬柵和高 k柵介質(zhì)層） ?源漏結(jié)構(gòu)（ 輕摻雜源漏結(jié)構(gòu) LDD） ?接觸層（ 自對準(zhǔn)硅化物工藝 ） 天津工業(yè)大學(xué) ?COMS工藝流程 ? 80年代工藝（ LOCOS、 PSG回流、正膠光刻等） ? 90年代工藝（外延硅、 STI、 LDD、 CMP等） ?當(dāng)前主流工藝 （ SOI with STI、 Cu及低 k介質(zhì)） ?雙極電路工藝流程 SBC、 CDI、 3D ?BiCMOS工藝流程 ?雙極電路和 CMOS電路的優(yōu)缺點(diǎn) ?以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝 ?以雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學(xué)
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