第10章工藝集成-文庫吧在線文庫
【正文】 電極（ 多晶硅柵 、金屬柵和高 k柵介質層） ?源漏結構（ 輕摻雜源漏結構 LDD） ?接觸層（ 自對準硅化物工藝 ） 天津工業(yè)大學 ?COMS工藝流程 ? 80年代工藝（ LOCOS、 PSG回流、正膠光刻等） ? 90年代工藝（外延硅、 STI、 LDD、 CMP等） ?當前主流工藝 （ SOI with STI、 Cu及低 k介質） ?雙極電路工藝流程 SBC、 CDI、 3D ?BiCMOS工藝流程 ?雙極電路和 CMOS電路的優(yōu)缺點 ?以 CMOS工藝為基礎的 BiCMOS工藝 ?以雙極工藝為基礎的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學 。 雙極型集成電路的工藝集成 平面雙極集成電路工藝： ?標準埋層雙極晶體管（ SBC） ?收集區(qū)擴散絕緣雙極晶體管（ CDI） ?三擴散層雙極晶體管（ 3D） SBC 晶體管的結構 天津工業(yè)大學 ? SBC雙極集成電路工藝流程 （見課件） ?先進的隔離技術 （深槽隔離 DTI代替 pn結隔離，減少隔離面積，增加集成度） ?多晶硅發(fā)射極 （減少發(fā)射區(qū)表面復合速率，改善晶體管電流增益，縮小器件縱向尺寸） ?自對準發(fā)射極和基區(qū)接觸 （自對準，減少光刻，減少器件內部電極接觸之間的距離） 天津工業(yè)大學 167。 集成電路制造工藝 東華理工 大學 彭新村 13687095856 第 10章 工藝集成 集成電路中的隔離 1 CMOS集成電路的工藝集成 2 3 4 雙極集成電路的工藝集成 BiCMOS集成電路的工藝集成 天津
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