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第10章工藝集成-免費閱讀

2025-02-25 13:55 上一頁面

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【正文】 集成電路中的隔離 ? 一 . MOS集成電路中的隔離 ?局部場氧化工藝( Local oxidation of silicon,LOCOS) ?改進的 LOCOS工藝 ?淺槽隔離( Shallow trench isolation , STI) MOSFET 1 MOSFET 2寄生的厚氧MOSFETn+n+n+n+Si O 2Alp 型襯底CMOS自隔離及寄生 MOS示意圖 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS工藝流程 硅片清洗 生長緩沖 SiO2層 LPCVD淀積 Si3N4 涂膠 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS掩模板 曝光 顯影 刻蝕 天津工業(yè)大學(xué) 去膠 隔離注入 熱氧化 刻蝕氮化硅 天津工業(yè)大學(xué) LOCOS工藝的缺點 1. 鳥嘴的形成( Bird’ s beak) ?由于氧的橫向擴散,硅的氧化反應(yīng)是各向同性的 ?氧化物在氮化硅下面的生長形成鳥嘴 ?浪費硅片的有效面積 2. 厚的氧化層造成表面凹凸不平,加重臺階覆蓋問題 天津工業(yè)大學(xué) 改進的 LOCOS工藝 ?回刻的 LOCOS工藝 ?側(cè)墻掩蔽的隔離工藝 ?多晶硅緩沖層的 LOCOS工藝( PBL) 天津工業(yè)大學(xué) 淺槽隔離( STI) STL ?不會產(chǎn)生鳥嘴 ?更平坦的表面 ?更多的工藝步驟 LOCOS ?工藝相對簡單,便宜,高產(chǎn)率 ?當特征尺寸 um不再適用 天津工業(yè)大學(xué) STI工藝流程 掩模板 光刻 刻蝕形成淺槽
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