第10章工藝集成-wenkub
2023-02-28 13:55:17 本頁(yè)面
【正文】 和輸出部分或者高速部分 天津工業(yè)大學(xué) ?以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝 ?以標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學(xué) 小結(jié) ?MOS集成電路中的隔離 LOCOS工藝 ，改進(jìn)的 LOCOS工藝，淺槽隔離 ?雙極型集成電路中的隔離 pn結(jié)隔離，深槽隔離 ?CMOS集成電路中的基本模塊 ?阱（單阱、雙阱、 自對(duì)準(zhǔn)雙阱 ） ?柵電極（ 多晶硅柵 、金屬柵和高 k柵介質(zhì)層） ?源漏結(jié)構(gòu)（ 輕摻雜源漏結(jié)構(gòu) LDD） ?接觸層（ 自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝 ） 天津工業(yè)大學(xué) ?COMS工藝流程 ? 80年代工藝（ LOCOS、 PSG回流、正膠光刻等） ? 90年代工藝（外延硅、 STI、 LDD、 CMP等） ?當(dāng)前主流工藝 （ SOI with STI、 Cu及低 k介質(zhì)） ?雙極電路工藝流程 SBC、 CDI、 3D ?BiCMOS工藝流程 ?雙極電路和 CMOS電路的優(yōu)缺點(diǎn) ?以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝 ?以雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學(xué) 。 CMOS集成電路 中的工藝集成 MOS集成電路工藝的發(fā)展： ? 70－ 80年代， nMOS為 IC主流技術(shù)： 多晶硅柵替代鋁柵，源漏自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)； 離子注入技術(shù)提高溝道和源漏區(qū)摻雜的控制能力 ? 80年代之后， CMOS工藝成為 IC主流技術(shù)： 帶側(cè)墻的漏端輕摻雜結(jié)構(gòu)；自對(duì)準(zhǔn)硅化物技術(shù)；淺槽隔離技術(shù)；氮化二 氧化硅柵介質(zhì)材料；暈環(huán)技術(shù)；雙摻雜多晶硅技術(shù)；化學(xué)機(jī)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1