第10章工藝集成-wenkub
2023-02-28 13:55:17 本頁面
【正文】 和輸出部分或者高速部分 天津工業(yè)大學 ?以 CMOS工藝為基礎的 BiCMOS工藝 ?以標準雙極工藝為基礎的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學 小結 ?MOS集成電路中的隔離 LOCOS工藝 ，改進的 LOCOS工藝，淺槽隔離 ?雙極型集成電路中的隔離 pn結隔離，深槽隔離 ?CMOS集成電路中的基本模塊 ?阱（單阱、雙阱、 自對準雙阱 ） ?柵電極（ 多晶硅柵 、金屬柵和高 k柵介質層） ?源漏結構（ 輕摻雜源漏結構 LDD） ?接觸層（ 自對準硅化物工藝 ） 天津工業(yè)大學 ?COMS工藝流程 ? 80年代工藝（ LOCOS、 PSG回流、正膠光刻等） ? 90年代工藝（外延硅、 STI、 LDD、 CMP等） ?當前主流工藝 （ SOI with STI、 Cu及低 k介質） ?雙極電路工藝流程 SBC、 CDI、 3D ?BiCMOS工藝流程 ?雙極電路和 CMOS電路的優(yōu)缺點 ?以 CMOS工藝為基礎的 BiCMOS工藝 ?以雙極工藝為基礎的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學 。 CMOS集成電路 中的工藝集成 MOS集成電路工藝的發(fā)展： ? 70－ 80年代， nMOS為 IC主流技術： 多晶硅柵替代鋁柵，源漏自對準結構； 離子注入技術提高溝道和源漏區(qū)摻雜的控制能力 ? 80年代之后， CMOS工藝成為 IC主流技術： 帶側墻的漏端輕摻雜結構；自對準硅化物技術；淺槽隔離技術；氮化二 氧化硅柵介質材料；暈環(huán)技術；雙摻雜多晶硅技術；化學機
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