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第10章工藝集成(參考版)

2025-02-11 13:55本頁面
  

【正文】 BiCMOS的工藝集成 ?雙極集成電路 優(yōu)點 : 高速、驅(qū)動能力強,適合于高精度模擬電路 ?雙極集成電路 缺點 : 功耗高,集成度低 ? CMOS集成電路 優(yōu)點 : 功耗低,高集成度 ? CMOS集成電路 缺點 : 速度低,驅(qū)動能力差 BiCMOS技術(shù),利用 CMOS器件制作高集成度、低功耗部分,利用雙極器件制作輸入和輸出部分或者高速部分 天津工業(yè)大學(xué) ?以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝 ?以標準雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學(xué) 小結(jié) ?MOS集成電路中的隔離 LOCOS工藝 ,改進的 LOCOS工藝,淺槽隔離 ?雙極型集成電路中的隔離 pn結(jié)隔離,深槽隔離 ?CMOS集成電路中的基本模塊 ?阱(單阱、雙阱、 自對準雙阱 ) ?柵電極( 多晶硅柵 、金屬柵和高 k柵介質(zhì)層) ?源漏結(jié)構(gòu)( 輕摻雜源漏結(jié)構(gòu) LDD) ?接觸層( 自對準硅化物工藝 ) 天津工業(yè)大學(xué) ?COMS工藝流程 ? 80年代工藝( LOCOS、 PSG回流、正膠光刻等) ? 90年代工藝(外延硅、 STI、 LDD、 CMP等) ?當(dāng)前主流工藝 ( SOI with STI、 Cu及低 k介質(zhì)) ?雙極電路工藝流程 SBC、 CDI、 3D ?BiCMOS工藝流程 ?雙極電路和 CMOS電路的優(yōu)缺點 ?以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝 ?以雙極工藝為基礎(chǔ)的雙阱 BiCMOS工藝 天津工業(yè)大學(xué) 。 CMOS集成電路 中的工藝
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