半導體的熱電性質(zhì)ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:49本頁面
【正文】 T0+ΔT n型半導體 + Θ 半導體熱電效應(yīng)的物理解釋 二、單一半導體兩種載流子的溫差電動勢效應(yīng) 考慮下圖所示均勻摻雜的半導體 ， 兩端溫度分別為 T0與 T0+ΔT， 在半導體內(nèi)部形成均勻的溫度梯度 。 這時在半導體內(nèi)部有穩(wěn)定的電場 ， 兩端形成一定的電勢差 ，這就是由于溫度梯度引起的 溫差電動勢 （ Θ ） 。 因此 ， 低溫端附近載流子濃度比高溫端附近低 ， 空穴便從高溫端向低溫端擴散 ， 在低溫端積累了空穴 （ 整體帶正電 ） ， 高溫端留下電離施主雜質(zhì) （ 空間電荷 ， 整體帶負電 ） ， 半導體內(nèi)部形成自低溫端指向高溫端的電場 。半 導 體 物 理 (Semiconductor Physics) 主 講 ： 彭 新 村 信工樓 519室， 13687940615 Email: 東華理工機電學院 電子科學與技術(shù) 第十一章 半導體的熱電性質(zhì) ? 半導體熱電效應(yīng)的物理解釋 ? 半導體熱電效應(yīng)的實際應(yīng)用 半導體熱電效應(yīng)的物理解釋 一、單一半導體單
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