半導(dǎo)體的基本知識(shí)ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:48本頁面
【正文】 Home Next Back 圖 半導(dǎo)體二極管圖片 (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 VBR和最大反向工作電壓 VR (3) 反向電流 IR (4) 正向壓降 VF (5) 最高工作頻率 fM (6)結(jié)電容 Cj 圖 二極管的高頻 等效道路 Home Next Back ：如何用萬用表的 “ ?” 檔來辨別一只二極管的陽極、陰極以及二極管的好壞 ？ 思考題 4. 二極管的等效模型電路 （ 1）理想模型 圖 二極管的理想等效模型 正偏時(shí)：uD=0,RD=0。其差別在于二極管存在體電阻和引線電阻，在電流相同的情況下，其壓降大于 PN結(jié)的壓降。 PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。 (a)點(diǎn)接觸型 圖 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 Home Next 二 . 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。二極管按結(jié)構(gòu)分 有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型 三大類。低頻時(shí)忽略，只有頻率較高時(shí)才考慮結(jié)電容的作用。 Cd 圖 擴(kuò)散電容示意圖 Home Next Back PN結(jié)外加正向電壓變化，擴(kuò)散區(qū)的非平衡少子的數(shù)量將隨之變化，擴(kuò)散區(qū)內(nèi)電荷的積累與釋放過程，呈現(xiàn)出電容充放電的性質(zhì)，其等效的電容稱之為擴(kuò)散電容 Cd。 四 . PN結(jié)的電容效應(yīng) Home Next Back 1. 勢(shì)壘電容 Cb 圖 勢(shì)壘電容示意圖 PN結(jié)外加電壓變化，空間電荷區(qū)的寬度將隨之變化，即耗盡層的電荷量隨外加電壓增加或減少，呈現(xiàn)出電容充放電的性質(zhì)，其等效的電容稱之為勢(shì)壘電容 Cb。 齊納擊穿： 齊納擊穿的機(jī)理與雪崩擊穿不同。而新產(chǎn)生的電子 空穴對(duì)在電場(chǎng)的作用下，同樣會(huì)與晶體中的原子發(fā)生碰撞電離，再產(chǎn)生新的電子 空穴對(duì)，形成載流子的 倍增效應(yīng) 。 圖 PN結(jié)的反向擊穿特性 VBR Home Next Back 反向擊穿分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩種類型。若不加限流措施，PN結(jié)將過熱而損壞，此稱為 熱擊穿 。 反向電流受溫度的影響大。 導(dǎo)通電壓 Von 硅材料為~；鍺材料為~。 3. PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)加正向電壓（正偏）時(shí)導(dǎo)通；加反向電壓（反偏）時(shí)截止的特性，稱為 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。 Home 2. PN結(jié)加反向電壓 PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流， PN結(jié)截止。 5. PN結(jié) PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流， PN結(jié)導(dǎo)通。 一 .PN結(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì) ,分別形成 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體。 摻雜 對(duì)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性的影響，其典型數(shù)據(jù)如下 : ? T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : ni = pi = 1010/cm3 ? 摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的自由電子濃度 : ni=5 1016/cm3 ? 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 以上三個(gè)濃度基本上依次相差 106/cm3 。 在 N型半導(dǎo)體中，自由電子為多數(shù)載流子，而空穴為少數(shù)載流子。常用的三價(jià)元素的雜質(zhì)有磷、砷和銻等。 ：既然 P型半導(dǎo)體的多數(shù)載
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