半導體的基本知識ppt課件-wenkub.com
2025-05-03 12:48 本頁面
【正文】 ? 半導體二極管的參數(shù) ? 半導體二極管的等效模型：理想模型、恒壓降模型、折線模型和小信號模型 ? 應用二極管等效模型分析和計算半導體二極管電路的基本方法 ? 簡要介紹了其它類型的二極管?？扇朔Q值取91,82,75,68,62,56,51,47,43,39,36,33,30,27,24,22,20,18,16,15,13,12,11,10470)(6821 0 0 0/61056%)101(15)(2411 0 0 0/610386%)101(1515,)18~12(3minminmax3maxmaxmin??????????????????????????RIIVVRIIVVRVVVVVOZOIOZOIIOI?Home Next （ 1） 發(fā)光二極管 Back 外加反向電壓，無光照時的反向電流稱之為暗電流；有光照時的反向電流稱之為光電流，光照越強，光電流越大。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時工作在反向電擊穿狀態(tài)。其中 vi=10sin?tV。 圖 二極管的折線型等效模型 Home Next （ 4）小信號模型 二極管工作在正向特性的某一小范圍內時，其正向特性可以等效成一個微變電阻。 相當于一理想電子開關和恒壓源的串聯(lián)。 反偏時：iD=0, RD=?。 (c)平面型 圖 二極管的結構示意圖 陰極 引線 陽極 引線 P N P 型支持襯底 Back Home Next 四 . 二極管的圖形符號 Back 圖 二極管的符號 k陰極 陽極 a VI特性 二極管的特性與 PN結的特性基本相同，也分正向特性、反向特性和擊穿特性。 一 . 點接觸型二極管 PN結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。 結電容 Cj= Cb+ Cd 反偏時，勢壘電容 Cb為主；正偏時，擴散電容Cd為主。在較高的反向電壓作用下，空間電荷區(qū)的電場變成強電場，有足夠的能力破壞共價鍵，使束縛在共價鍵中的電子掙脫束縛而形成電子 空穴對，造成載流子數(shù)目的急劇增加，從而導致了 PN結的齊納擊穿。 雪崩擊穿： 當反向電壓增加時，空間電荷區(qū)的電場隨之增強，使通過空間電荷區(qū)的電子和空穴獲得的能量增大，當它們與晶體中的原子發(fā)生碰撞時，足夠大的能量將導致碰撞電離。 IS 圖 PN結的反向特性 鍺管 硅管 4. PN結的反向擊穿特性 Home Next Back 反向擊穿： 當反向電壓達到一定數(shù)值時，反向電流急劇增加的現(xiàn)象稱為反向擊穿（ 電擊穿 ）。 三 .PN結的特性曲線 1. PN結的 VI 特性表達式 )()1( /SD D ?? TnVveIi式中， IS — 反向飽和電流； n — 發(fā)射系數(shù)，與 PN結的的尺寸、材料等有關，其值為 1~2； VT — 溫度的電壓當量，且在常溫下（ T=300K） : VT = kT/q = =26mV 2. PN結的正向特性 Home Next Back 死區(qū)電壓 Vth 硅材料為 左右；鍺材料為 。其示意圖如 圖 。 Home Next Back 小 結
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