半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-12 12:49本頁(yè)面
【正文】 = 6 V時(shí)， 在 Q1 點(diǎn) IB=40?A, IC=； 在 Q2 點(diǎn) IB=60 ?A, IC=。 注意： 和 ? 的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且 ICE0 較小的情況下，兩者數(shù)值接近。 深度飽和時(shí)， 硅管 UCES ? ， 鍺管 UCES ? 。 飽和區(qū) 截止區(qū) （ 3）飽和區(qū) 當(dāng) UCE? UBE時(shí) ， 晶體管工作于飽和狀態(tài)。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （ 2）截止區(qū) IB 0 以下區(qū)域?yàn)?截止區(qū)，有 IC ? 0 。 正常工作時(shí)發(fā)射結(jié)電壓： NPN型硅管 UBE ? ~ PNP型鍺管 UBE ? ? ~ ? IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V O 2. 輸出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 常數(shù)?? B)( CEC IUfI3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大區(qū) 輸出特性曲線通常分三個(gè)工作區(qū)： (1) 放大區(qū) 在放大區(qū)有 IC=? IB ，也 稱為線性區(qū)，具有恒流特性。 3. 三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE ICBO ? IBE ICE 與 IBE 之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數(shù) BCC B OBC B OCBECEIIIIIIII ??????C E OBC B OBC )(1 IIIII ????? ???BC C E O III ??，有忽略集－射極穿透電流 , 溫度 ??ICEO? (常用公式 ) 若 IB =0, 則 IC? ICE0 特性曲線 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。 從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成 ICE。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流 IE。 實(shí)質(zhì) :用一個(gè)微小電流的變化去控制一個(gè)較大電流的變化，是 CCCS器件 。 V s i n18i tu ??8V 例 3： 二極管的用途： 整流、檢波、 限幅、鉗位、開(kāi) 關(guān)、元件保護(hù)、 溫度補(bǔ)償?shù)取? 若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB = 0 V 例 2: D1承受反向電壓為 － 6 V 流過(guò) D2 的電流為 mA43122D ??I求： UAB 在這里， D2 起鉗位作用， D1起隔離作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 兩個(gè)二極管的陰極接在一起 取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。 電路如圖，求： UAB V陽(yáng) =－ 6 V V陰 =－ 12 V V陽(yáng) V陰 二極管導(dǎo)通 若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB =－ 6V 否則， UAB低于－ 6V一個(gè)管壓降，為－ － 例 1： 取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。 二極管電路分析舉例 定性分析： 判斷二極管的工作狀態(tài) 導(dǎo)通截止 否則，正向管壓降 硅 ~ ~ 分析方法： 將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位 的高低或所加電壓 UD的正負(fù)。 3. 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴? 二極管 的單向?qū)щ娦? 1. 二極管加正向電壓（正向偏置，陽(yáng)極接正、陰極接負(fù) ）時(shí)， 二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆睿?IRM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^(guò)熱而燒壞。 主要參數(shù) 1. 最大整流電流 IOM 二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴? 陰極引線 陽(yáng)極引線 二氧化硅保護(hù)層 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 金屬觸絲 陽(yáng)極引線 N 型鍺片 陰極引線 外殼 ( a ) 點(diǎn)接觸型 鋁合金小球 N 型硅 陽(yáng)極引線 PN 結(jié) 金銻合金 底座 陰極引線 ( b ) 面接觸型 圖 1 – 12 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 陰極 陽(yáng)極 ( d ) 符號(hào) D 伏安特性 硅管 ,鍺管 。 (c) 平面型 用于集成電路制作工藝中。用于檢波和變頻等高頻電路。 動(dòng)畫 – + PN 結(jié)加反向電壓時(shí)， PN結(jié)變寬，反向電流較小，
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