半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)ppt課件-展示頁
2025-05-15 12:49本頁面
【正文】 一載流子的溫差電動勢效應(yīng) 考慮下圖所示均勻摻雜的 p型半導(dǎo)體 ， 兩端與金屬以歐姆接觸 （ 線性 IV特性 ） 相接 ， 兩端溫度分別為 T0、 T0+ΔT， 在半導(dǎo)體內(nèi)部形成均勻的溫度梯度 。 假定在 T0 與 T0+ΔT溫度下半導(dǎo)體均未達到飽和電離區(qū) ，根據(jù)公式 (346)， 多數(shù)載流子濃度隨溫度指數(shù)增加 。 在電場作用下 ， 空穴又向高溫端方向漂移 ， 當(dāng)空穴的漂移與擴散運動相平衡時達到穩(wěn)定狀態(tài) 。 金屬 金屬 T0 T0+ΔT P型半導(dǎo)體 + + + + + + + Θ 對于 n型半導(dǎo)體，其溫差電動勢效應(yīng)的物理過程與 p型半導(dǎo)體相似，區(qū)別為溫差電動勢是電子從高溫端向低溫端擴散而導(dǎo)致的，電場的方向是由高溫端指向低溫端。 由于溫度增加時 ， 熱激發(fā)增強 ， 兩種載流子的濃度都會增加 。 前者的擴散會形成低溫端高于高溫端電勢的溫差電動勢 —— Θp， 后者的擴散會形成低溫端低于高溫端電勢的溫差電動勢 —— Θn 。 金屬 金屬 T0 T0+ΔT 均勻摻雜半導(dǎo)體 + + +
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