半導體的熱電性質(zhì)ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:49本頁面
【正文】 這種現(xiàn)象即為 湯姆遜效應(yīng) 。 五、半導體的 湯姆遜效應(yīng) 考慮下圖所示的均勻溫度梯度的 n型半導體 ， 兩端會產(chǎn)生如圖所示的溫差電動勢 。因此 ， 需要采用濃度不同的兩種半導體或者兩種不同的導體材料 。 這種在接頭 A、 B處分別發(fā)生的吸熱和放熱的現(xiàn)象稱為 珀爾帖效應(yīng) ， 是于 1834年由珀爾帖首次發(fā)現(xiàn)的 。 若給整個回路加上外加電源 ， 回路中便有如圖所示的電流流過 ， 電子的漂移運動方向與電場相反 。 這種效應(yīng)是于 1821年由塞貝克發(fā)現(xiàn)的 ， 故稱為 塞貝克效應(yīng) ， 產(chǎn)生的溫差電動勢也稱為 塞貝克電動勢 。 顯然 A、 B兩端溫度相同時 ， εA=εB ， 此時整個回路的電勢差因兩者相互抵消而為 0。 設(shè) A、 B兩處的接觸電勢分別為 εA、 εB 。 由于電子與空穴的濃度梯度 、 擴散系數(shù) 、 遷移率等物理參量不同 ， 理論上 Θp與 Θn大小不同 ， 因此樣品兩端的總溫差電動勢大小應(yīng)為 |ΘpΘn |， 方向則由 Θp與 Θn的大小決定 。 因此 ， 低溫端附近載流子濃度均比高溫端附近低 ，空穴與電子均從高溫端向低溫端擴散 。 金屬 金屬 T0
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