微電子工藝課程設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2024-07-26 12:49 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 基區(qū)渡越時(shí)間增長(zhǎng)，有效特征頻率就下降，因此，通常選取：反射結(jié)結(jié)深為集電結(jié)結(jié)深為芯片厚度和質(zhì)量 本設(shè)計(jì)選用的是電阻率為 的P型硅，晶向是111。硅片厚度主要由集電結(jié)深、集電區(qū)厚度、襯底反擴(kuò)散層厚度決定。基區(qū)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算過(guò)程 A、預(yù)擴(kuò)散時(shí)間PNP基區(qū)的磷預(yù)擴(kuò)散的溫度取1080℃，即1353K。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知磷在硅中有： 為了方便計(jì)算，取由公式 ，得出基區(qū)的預(yù)擴(kuò)散時(shí)間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴(kuò)散（1353K）的時(shí)間t=，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出磷（P）在溫度1080℃時(shí)在中的擴(kuò)散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實(shí)際情況，基區(qū)氧化層厚度取為6000。 基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間PNP基區(qū)的磷再擴(kuò)散的溫度這里取1200℃。由一些相關(guān)資料可查出磷的擴(kuò)散系數(shù)： 由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴(kuò)散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過(guò)化簡(jiǎn)得： 解得基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間： t=7560s= B、發(fā)射區(qū)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算過(guò)程 預(yù)擴(kuò)散時(shí)間 PNP發(fā)射區(qū)的硼預(yù)擴(kuò)散的溫度這里取950℃，即1223K。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知硼在硅中有： 為了方便計(jì)算，取由公式 ，得出發(fā)射區(qū)的預(yù)擴(kuò)散時(shí)間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴(kuò)散（1353K）的時(shí)間t=1683s來(lái)決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出硼（B）在溫度95
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