微電子工藝課程設計-展示頁
2025-07-08 12:49本頁面
【正文】 等不同層次（level）的仿真。二、 綜述這次課程設計要求是：設計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管，使T=346K時，β=173。設計時應盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應的影響。然后通過SilvacoTCAD進行模擬。這次課程設計運用SilvacoTCAD軟件進行工藝模擬。三、 方案設計與分析各區(qū)摻雜濃度及相關參數(shù)的計算對于擊穿電壓較高的器件，在接近雪崩擊穿時，集電結空間電荷區(qū)已擴展至均勻摻雜的外延層。NE=100NB則：Nc=*1015cm3；NB=*1016cm3；NE=*1018cm3根據(jù)室溫下載流子遷移率與摻雜濃度的函數(shù)關系，得到少子遷移率：；；根據(jù)公式可得少子的擴散系數(shù)：=1300=39=330==150=根據(jù)摻雜濃度與電阻率的函數(shù)關系，可得到不同雜質(zhì)濃度對應的電阻率： 根據(jù)少子壽命與摻雜濃度的函數(shù)關系，可得到各區(qū)的少子壽命： 根據(jù)公式得出少子的擴散長度：=≈=≈=≈集電區(qū)厚度Wc的選擇Wc的最大值受串聯(lián)電阻Rcs的限制。綜合考慮這兩方面的因素，故選擇WC=8μmWb：基區(qū)寬度的最大值可按下式估計：取為4可得MAX≈可得MIN≈*104由于，所以EB耗盡區(qū)寬度（）可近視看作全部位于基區(qū)內(nèi)，又由，得到大多數(shù)CB耗盡區(qū)寬度（）位于集電區(qū)內(nèi)。另外注意到是基區(qū)寬度，是基區(qū)中準中性基區(qū)寬度；也就是說，對于PNP晶體管，有：，所以基區(qū)寬度為。擴散結深：在晶體管的電學參數(shù)中，擊穿電壓與結深關系最為密切，它隨結深變淺，曲率半徑減小而降低，因而為了提高擊穿電壓，要求擴散結深一些。硅片厚度主要由集電結深、集電區(qū)厚度、襯底反擴散層厚度決定。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知磷在硅中有： 為了方便計算，取由公式 ，得出基區(qū)的預擴散時間：
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