微電子工藝課程設(shè)計(jì)-全文預(yù)覽
【正文】 崩擊穿時(shí)，集電結(jié)空間電荷區(qū)已擴(kuò)展至均勻摻雜的外延層。綜合考慮這兩方面的因素，故選擇WC=8μmWb：基區(qū)寬度的最大值可按下式估計(jì)：取為4可得MAX≈可得MIN≈*104由于，所以EB耗盡區(qū)寬度（）可近視看作全部位于基區(qū)內(nèi)，又由，得到大多數(shù)CB耗盡區(qū)寬度（）位于集電區(qū)內(nèi)。擴(kuò)散結(jié)深：在晶體管的電學(xué)參數(shù)中，擊穿電壓與結(jié)深關(guān)系最為密切，它隨結(jié)深變淺，曲率半徑減小而降低，因而為了提高擊穿電壓，要求擴(kuò)散結(jié)深一些。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知磷在硅中有： 為了方便計(jì)算，取由公式 ，得出基區(qū)的預(yù)擴(kuò)散時(shí)間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴(kuò)散（1353K）的時(shí)間t=，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出磷（P）在溫度1080℃時(shí)在中的擴(kuò)散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實(shí)際情況，基區(qū)氧化層厚度取為6000。 發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間PNP基區(qū)的磷再擴(kuò)散的溫度這里取1170℃，即1443K，則 由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴(kuò)散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過化簡得： 解得基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間： t=7200s= C、氧化時(shí)間的計(jì)算 基區(qū)氧化時(shí)間由前面得出基區(qū)氧化層厚度是6000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將6000的氧化層的分配成如下的比例進(jìn)行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：4：1即先干氧1000（），再濕氧4000（），再干氧1000（）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時(shí)間為：濕氧氧化4000的氧化層厚度需要的時(shí)間為：所以，基區(qū)總的氧化時(shí)間為： 發(fā)射區(qū)氧化時(shí)間由前面得出發(fā)射區(qū)氧化層厚度是7000，可
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