微電子工藝課程設(shè)計(jì)(完整版)
【正文】 里取1200℃。因?yàn)镃B結(jié)輕摻雜一側(cè)的摻雜濃度比EB結(jié)輕摻雜一側(cè)的濃度低，所以＞。TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半導(dǎo)體工藝模擬以及器件模擬工具，世界上商用的TCAD工具有Silvaco公司的Athena和Atlas，Synopsys公司的TSupprem和Medici以及ISE公司（已經(jīng)被Synopsys公司收購(gòu)）的Dios和Dessis 以及Crosslight Software公司的Csuprem和APSYS。集成電路仿真器由計(jì)算機(jī)主機(jī)及輸入、輸出等外圍設(shè)備（硬件）和有關(guān)仿真程序（軟件）組成。不同的書刊和字典對(duì)仿真這一術(shù)語(yǔ)的定義性簡(jiǎn)釋大同小異，以下3種最有代表性，仿真是一個(gè)系統(tǒng)或過(guò)程的功能用另一系統(tǒng)或過(guò)程的功能的仿真表示； 用能適用于計(jì)算機(jī)的數(shù)學(xué)模型表示實(shí)際物理過(guò)程或系統(tǒng)；不同實(shí)驗(yàn)對(duì)問(wèn)題的檢驗(yàn)。二、 綜述這次課程設(shè)計(jì)要求是：設(shè)計(jì)一個(gè)均勻摻雜的pnp型雙極晶體管，使T=346K時(shí)，β=173。三、 方案設(shè)計(jì)與分析各區(qū)摻雜濃度及相關(guān)參數(shù)的計(jì)算對(duì)于擊穿電壓較高的器件，在接近雪崩擊穿時(shí)，集電結(jié)空間電荷區(qū)已擴(kuò)展至均勻摻雜的外延層。擴(kuò)散結(jié)深：在晶體管的電學(xué)參數(shù)中，擊穿電壓與結(jié)深關(guān)系最為密切，它隨結(jié)深變淺，曲率半徑減小而降低，因而為了提高擊穿電壓，要求擴(kuò)散結(jié)深一些。 發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間PNP基區(qū)的磷再擴(kuò)散的溫度這里取1170℃，即1443K，則 由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴(kuò)散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過(guò)化簡(jiǎn)得： 解得基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間： t=7200s= C、氧化時(shí)間的計(jì)算 基區(qū)氧化時(shí)間由前面得出基區(qū)氧化層厚度是6000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將6000的氧化層的分配成如下的比例進(jìn)行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：4：1即先干氧1000（），再濕氧4000（），再干氧1000（）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃干氧氧化1000的氧化層厚
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