【正文】 electrode num=1 name=emitter left length= electrode num=2 name=base right length= =0 electrode num=3 name=collector bottom doping reg=1 uniform conc=5e15 doping reg=1 gauss conc=1e18 peak= char=doping reg=1 gauss conc=1e18 peak= junct= pnp型雙極晶體管設(shè)計，通過查閱大量的資料，借鑒別人成功的設(shè)計，從中得到自己有用的東西，自己慢慢吸收。三、 方案設(shè)計與分析各區(qū)摻雜濃度及相關(guān)參數(shù)的計算對于擊穿電壓較高的器件，在接近雪崩擊穿時，集電結(jié)空間電荷區(qū)已擴展至均勻摻雜的外延層。不同的書刊和字典對仿真這一術(shù)語的定義性簡釋大同小異，以下3種最有代表性，仿真是一個系統(tǒng)或過程的功能用另一系統(tǒng)或過程的功能的仿真表示； 用能適用于計算機的數(shù)學(xué)模型表示實際物理過程或系統(tǒng)；不同實驗對問題的檢驗。TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半導(dǎo)體工藝模擬以及器件模擬工具，世界上商用的TCAD工具有Silvaco公司的Athena和Atlas，Synopsys公司的TSupprem和Medici以及ISE公司（已經(jīng)被Synopsys公司收購）的Dios和Dessis 以及Crosslight Software公司的Csuprem和APSYS。 基區(qū)再擴散的時間PNP基區(qū)的磷再擴散的溫度這里取1200℃。五、 體驗與展望在為期一周的時間里，我們對于微電子工藝這門課程進行了相應(yīng)的微電子工藝課程設(shè)計。增大集電區(qū)厚度會使串聯(lián)電阻Rcs增加，飽和壓降VCES增大，因此WC的最大值受串聯(lián)電阻限制。據(jù)不完全統(tǒng)計，目前，有關(guān)建模和仿真方面的研究論文已占各類國際、國內(nèi)專業(yè)學(xué)術(shù)會議總數(shù)的10%以上，占了很可觀的份額。設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)