微電子工藝課程設(shè)計(jì)-wenkub
2023-07-14 12:49:54 本頁面
【正文】 微電子工藝課程設(shè)計(jì) 一、 摘要 仿真（simulation）這一術(shù)語已不僅廣泛出現(xiàn)在各種科技書書刊上，甚至已頻繁出現(xiàn)于各種新聞媒體上。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前，有關(guān)建模和仿真方面的研究論文已占各類國際、國內(nèi)專業(yè)學(xué)術(shù)會(huì)議總數(shù)的10%以上，占了很可觀的份額。其中工藝和器件的仿真，國際上也常稱作“集成電路工藝和器件的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)”（Technology CAD of IC），簡稱“IC TCAD”。要求我們先進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算，為工藝過程中的量進(jìn)行計(jì)算。通過具體的工藝設(shè)計(jì)，最后使工藝產(chǎn)出的PNP雙極型晶體管滿足所需要的條件。增大集電區(qū)厚度會(huì)使串聯(lián)電阻Rcs增加，飽和壓降VCES增大，因此WC的最大值受串聯(lián)電阻限制。其中和分別是位于N型區(qū)內(nèi)的EB和CB耗盡區(qū)寬度，在BJT分析中指的就是準(zhǔn)中性基區(qū)寬度?；鶇^(qū)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算過程 A、預(yù)擴(kuò)散時(shí)間PNP基區(qū)的磷預(yù)擴(kuò)散的溫度取1080℃，即1353K。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知硼在硅中有： 為了方便計(jì)算，取由公式 ，得出發(fā)射區(qū)的預(yù)擴(kuò)散時(shí)間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴(kuò)散（1353K）的時(shí)間t=1683s來決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出硼（B）在溫度950℃時(shí)在中的擴(kuò)散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實(shí)際情況，基區(qū)氧化層厚度取為7000。五、 體驗(yàn)與展望在為期一周的時(shí)間里，我們對(duì)于微電子工藝這門課程進(jìn)行了相應(yīng)的微電子工藝課程設(shè)計(jì)。六、 參考文獻(xiàn)1.《集成電路制造技術(shù)》，電子工業(yè)出版社，王蔚等著，2000年2.《半導(dǎo)體物理》，電子工業(yè)出版社，劉恩科等著，2006年3.《半導(dǎo)體仿真工具silvaco學(xué)習(xí)資料》，網(wǎng)絡(luò)，化龍居士，2009年。但是也深深體會(huì)到了對(duì)于理論知識(shí)的缺乏，以及運(yùn)用時(shí)候思路的單調(diào)，并不能夠提出新穎的方案，拘泥于固定思維的我們，更應(yīng)該利用課程設(shè)計(jì)以及其他
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