微電子工藝課程設(shè)計(jì)(存儲(chǔ)版)
【正文】 0年2.《半導(dǎo)體物理》，電子工業(yè)出版社，劉恩科等著，2006年3.《半導(dǎo)體仿真工具silvaco學(xué)習(xí)資料》，網(wǎng)絡(luò)，化龍居士，2009年。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知硼在硅中有： 為了方便計(jì)算，取由公式 ，得出發(fā)射區(qū)的預(yù)擴(kuò)散時(shí)間： 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴(kuò)散（1353K）的時(shí)間t=1683s來決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出硼（B）在溫度950℃時(shí)在中的擴(kuò)散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實(shí)際情況，基區(qū)氧化層厚度取為7000。其中和分別是位于N型區(qū)內(nèi)的EB和CB耗盡區(qū)寬度，在BJT分析中指的就是準(zhǔn)中性基區(qū)寬度。通過具體的工藝設(shè)計(jì)，最后使工藝產(chǎn)出的PNP雙極型晶體管滿足所需要的條件。其中工藝和器件的仿真，國(guó)際上也常稱作“集成電路工藝和器件的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)”（Technology CAD of IC），簡(jiǎn)稱“IC TCAD”。 微電子工藝課程設(shè)計(jì) 一、 摘要 仿真（simulation）這一術(shù)語已不僅廣泛出現(xiàn)在各種科技書書刊上，甚至已頻繁出現(xiàn)于各種新聞媒體上。按仿真內(nèi)容不同，集成電路仿真一般可分為：系統(tǒng)功能仿真、邏輯仿真、電路仿真、器件仿真及工藝仿真等不同層次（level）的仿真。這次課程設(shè)計(jì)運(yùn)用SilvacoTCAD軟件進(jìn)行工藝模擬。另外注意到是基區(qū)寬度，是基區(qū)中準(zhǔn)中性基區(qū)寬度；也就是說，對(duì)于PNP晶體管，有：，所以基區(qū)寬度為。由一些相關(guān)資料可查出磷的擴(kuò)散系數(shù)： 由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴(kuò)散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過化簡(jiǎn)得： 解得基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間： t=7560s= B、發(fā)射區(qū)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算過程 預(yù)擴(kuò)散時(shí)間 PNP發(fā)射區(qū)
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