微電子工藝課程設(shè)計(更新版)
【正文】 度需要的時間為：濕氧氧化4000的氧化層厚度需要的時間為：所以，基區(qū)總的氧化時間為： 發(fā)射區(qū)氧化時間由前面得出發(fā)射區(qū)氧化層厚度是7000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將7000的氧化層的分配成如下的比例進(jìn)行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：5：1即先干氧1000（），再濕氧5000（），再干氧1000（）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃，由圖7可得出：干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時間為：濕氧氧化5000的氧化層厚度需要的時間為：所以，發(fā)射區(qū)總的氧化時間為：四、 方案綜合評價與結(jié)論 Go atlas mesh l=0 spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= region num=1 silicon electrode num=1 name=emitter left length= electrode num=2 name=base right length= =0 electrode num=3 name=collector bottom doping reg=1 uniform conc=5e15 doping reg=1 gauss conc=1e18 peak= char=doping reg=1 gauss conc=1e18 peak= junct= pnp型雙極晶體管設(shè)計，通過查閱大量的資料，借鑒別人成功的設(shè)計，從中得到自己有用的東西，自己
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