微電子工藝課程設(shè)計(jì)(專業(yè)版)
【正文】 發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間PNP基區(qū)的磷再擴(kuò)散的溫度這里取1170℃，即1443K，則 由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴(kuò)散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過化簡得： 解得基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間： t=7200s= C、氧化時(shí)間的計(jì)算 基區(qū)氧化時(shí)間由前面得出基區(qū)氧化層厚度是6000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將6000的氧化層的分配成如下的比例進(jìn)行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：4：1即先干氧1000（），再濕氧4000（），再干氧1000（）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時(shí)間為：濕氧氧化4000的氧化層厚度需要的時(shí)間為：所以，基區(qū)總的氧化時(shí)間為： 發(fā)射區(qū)氧化時(shí)間由前面得出發(fā)射區(qū)氧化層厚度是7000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將7000的氧化層的分配成如下的比例進(jìn)行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：5：1即先干氧1000（），再濕氧5000（），再干氧1000（）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃，由圖7可得出：干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時(shí)間為：濕氧氧化5000的氧化層厚度需要的時(shí)間為：所以，發(fā)射區(qū)總的氧化時(shí)間為：四、 方案綜合評價(jià)與結(jié)論 Go atlas mesh l=0 spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= l= spacing= region num=1 silicon
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