微電子工藝課程設(shè)計(jì)-文庫吧在線文庫
【正文】 的硼預(yù)擴(kuò)散的溫度這里取950℃，即1223K?！段㈦娮庸に嚒肥抢^《微電子器件物理》、《微電子器件工藝》和《半導(dǎo)體物理》理論課之后開出的有關(guān)微電子器件和工藝知識(shí)的綜合應(yīng)用的課程，使我們系統(tǒng)的掌握半導(dǎo)體器件，集成電路，半導(dǎo)體材料及工藝的有關(guān)知識(shí)的必不可少的重要環(huán)節(jié)。由于自己理論知識(shí)較為匱乏，對(duì)實(shí)際生活中的工藝水平不怎么了解，所以設(shè)計(jì)還是存在一些問題，參數(shù)有著一些誤差。硅片厚度主要由集電結(jié)深、集電區(qū)厚度、襯底反擴(kuò)散層厚度決定。NE=100NB則：Nc=*1015cm3；NB=*1016cm3；NE=*1018cm3根據(jù)室溫下載流子遷移率與摻雜濃度的函數(shù)關(guān)系，得到少子遷移率：；；根據(jù)公式可得少子的擴(kuò)散系數(shù)：=1300=39=330==150=根據(jù)摻雜濃度與電阻率的函數(shù)關(guān)系，可得到不同雜質(zhì)濃度對(duì)應(yīng)的電阻率： 根據(jù)少子壽命與摻雜濃度的函數(shù)關(guān)系，可得到各區(qū)的少子壽命： 根據(jù)公式得出少子的擴(kuò)散長度：=≈=≈=≈集電區(qū)厚度Wc的選擇Wc的最大值受串聯(lián)電阻Rcs的限制。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。建模和仿真（modeling and simulation）是研究自然科學(xué)、工程科學(xué)、人文科學(xué)和社會(huì)科學(xué)的重要方法，是開發(fā)產(chǎn)品、制定決策的重要手段。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前，有關(guān)建模和仿真方面的研究論文已占各類國際、國內(nèi)專業(yè)學(xué)術(shù)會(huì)議總數(shù)的10%以上，占了很可觀的份額。要求我們先進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算，為工藝過程中的量進(jìn)行計(jì)算。增大集電區(qū)厚度會(huì)使串聯(lián)電阻Rcs增加，飽和壓降VCES增大，因此WC的最大值受串聯(lián)電阻限制?；鶇^(qū)相關(guān)參數(shù)的計(jì)算過程 A、預(yù)擴(kuò)散時(shí)間PNP基區(qū)的磷預(yù)擴(kuò)散的溫度取1080℃，即1353K。五、 體驗(yàn)與展望在為期一周的時(shí)間里，我們對(duì)于微電子工藝這門課程進(jìn)行了相應(yīng)的微電子工藝課程設(shè)計(jì)。但是也深深體會(huì)到了對(duì)于理論知識(shí)的缺乏，以及運(yùn)用時(shí)候思路的單調(diào)，并不能夠提出新穎的方案，拘泥于固定思維的我們，更應(yīng)該利用課程設(shè)計(jì)以及其他實(shí)踐機(jī)會(huì)拓展自己的思維。 基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間PNP基區(qū)的磷再擴(kuò)散的溫度這
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1