微電子工藝課程設(shè)計-在線瀏覽
2024-08-09 12:49本頁面
【正文】 氧化層厚度 氧化層厚度的最小值由預(yù)擴散（1353K）的時間t=，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求 ，由一些相關(guān)資料可查出磷（P）在溫度1080℃時在中的擴散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實際情況，基區(qū)氧化層厚度取為6000。由一些相關(guān)資料可查出磷的擴散系數(shù)： 由于預(yù)擴散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過化簡得： 解得基區(qū)再擴散的時間： t=7560s= B、發(fā)射區(qū)相關(guān)參數(shù)的計算過程 預(yù)擴散時間 PNP發(fā)射區(qū)的硼預(yù)擴散的溫度這里取950℃，即1223K。 發(fā)射區(qū)再擴散的時間PNP基區(qū)的磷再擴散的溫度這里取1170℃，即1443K，則 由于預(yù)擴散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴散結(jié)深公式：，而且 ， 故可整理為： 即經(jīng)過化簡得： 解得基區(qū)再擴散的時間： t=7200s= C、氧化時間的計算 基區(qū)氧化時間由前面得出基區(qū)氧化層厚度是6000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將6000的氧化層的分配成如下的比例進行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：4：1即先干氧1000（），再濕氧4000（），再干氧1000（）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時間為：濕氧氧化4000的氧化層厚度需要的時間為：所以，基區(qū)總的氧化時間為： 發(fā)射區(qū)氧化時間由前面得出發(fā)射區(qū)氧化層厚度是7000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將7000的氧化層的分配成如下的比例進行氧化工藝： 干氧：濕氧：干氧=1：5：1即先干氧1000（），再濕氧5000（），再干氧1000（）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃，由圖7可得出：干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時間為：濕氧氧化5000的氧化層厚度需要的時
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