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正文內(nèi)容

微電子工藝課程設(shè)計(jì)(文件)

 

【正文】 實(shí)踐機(jī)會(huì)拓展自己的思維。從知之甚少到一點(diǎn)點(diǎn)設(shè)計(jì),最終成功完成了本次設(shè)計(jì),通過(guò)仿真軟件仿真可以知道此次設(shè)計(jì)基本符合題目要求的參數(shù)值。 基區(qū)再擴(kuò)散的時(shí)間PNP基區(qū)的磷再擴(kuò)散的溫度這里取1200℃。但另一方面,結(jié)深卻又受條寬限制,由于基區(qū)積累電荷增加,基區(qū)渡越時(shí)間增長(zhǎng),有效特征頻率就下降,因此,通常選?。悍瓷浣Y(jié)結(jié)深為集電結(jié)結(jié)深為芯片厚度和質(zhì)量 本設(shè)計(jì)選用的是電阻率為 的P型硅,晶向是111。因?yàn)镃B結(jié)輕摻雜一側(cè)的摻雜濃度比EB結(jié)輕摻雜一側(cè)的濃度低,所以>。因此,當(dāng)集電結(jié)上的偏置電壓接近擊穿電壓V時(shí), 集電結(jié)可用突變結(jié)近似,對(duì)于Si器件擊穿電壓為,集電區(qū)雜質(zhì)濃度為:由于BVCBO=90所以Nc=*1015cm3一般的晶體管各區(qū)的濃度要滿足NENBNC設(shè)NB=10NC。TCAD就是Technology Computer Aided Design,指半導(dǎo)體工藝模擬以及器件模擬工具,世界上商用的TCAD工具有Silvaco公司的Athena和Atlas,Synopsys公司的TSupprem和Medici以及ISE公司(已經(jīng)被Synopsys公司收購(gòu))的Dios和Dessis 以及Crosslight Software公司的Csuprem和APSYS。VCEO=18V,VCBO=90V,晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=15mA。集成電路仿真器由計(jì)算機(jī)主機(jī)及輸入、輸出等外圍設(shè)備(硬件)和有關(guān)仿真程序(軟件)組成。 仿真(也即模擬)的可信度和精度很大程度上基于建模(modeling)的可信度和精度。不同的書(shū)刊和字典對(duì)仿真這一術(shù)語(yǔ)的定義性簡(jiǎn)釋大同小異,以下3種最有代表性,仿真是一個(gè)系統(tǒng)或過(guò)程的功能用另一系統(tǒng)或過(guò)程的功能的仿真表示; 用能適用于計(jì)算機(jī)的數(shù)學(xué)模型表示實(shí)際物理過(guò)程或系統(tǒng);不同實(shí)驗(yàn)對(duì)問(wèn)題的檢驗(yàn)。集成電路仿真通過(guò)集成電路仿真器(simulator)執(zhí)行。二、 綜述這次課程設(shè)計(jì)要求是:設(shè)計(jì)一個(gè)均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=346K時(shí),β=173。然后通過(guò)SilvacoTCAD進(jìn)行模擬。三、 方案設(shè)計(jì)與分析各區(qū)摻雜濃度及相關(guān)參數(shù)的計(jì)算對(duì)于擊穿電壓較高的器件,在接近雪
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