【總結(jié)】EPI外延PR光刻CMP化學機械拋光DIF擴散ETCH刻蝕CVD化學氣象沉積litho就是光刻D——drain漏極S——source源極G——gate柵極YE——良率(提升)工程師PIE——工藝整合工程師CMP——chemicalmechanicalpolish化學機械拋光PCM——processco
2025-06-29 13:14
【總結(jié)】發(fā)展和變化中的集成電路產(chǎn)業(yè)浙江大學微電子與光電子研究所韓雁2023年3月15日3/10/2023浙大微電子(共68頁)1.概述集成電路產(chǎn)業(yè)是一門充滿創(chuàng)新和變數(shù)的產(chǎn)業(yè)–1958年第一塊集成電路(IC)誕生,半個世紀的歷程演繹了令人興奮不已的快速進步。–IC產(chǎn)業(yè)既是一個令世人驚羨鐘愛的產(chǎn)業(yè),又是一個使人嘔
2025-01-02 10:03
【總結(jié)】課程總結(jié)西安電子科技大學微電子學院戴顯英微電子工藝基礎(chǔ)?緒論(了解)?一、微電子技術(shù)發(fā)展歷史二、微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律與趨勢Moore定律?1965年Intel公司的創(chuàng)始人之一GordonE.Moore預言集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律?集
2025-01-18 18:23
【總結(jié)】第十章微電子工藝實驗實驗內(nèi)容1.熱氧化生長二氧化硅:主要內(nèi)容包括熱氧化工藝,二氧化硅膜的腐蝕,二氧化硅膜厚度測量等。2.熱擴散對硅片進行摻雜:主要內(nèi)容包括熱擴散工藝,二氧化硅膜的腐蝕,方塊電阻的測量等。3.在硅片上蒸發(fā)鋁圖形:主要內(nèi)容包括光刻工藝,蒸發(fā)工藝,剝離法(lift-off)圖形化工藝等。
2025-04-29 01:06
【總結(jié)】微電子器件與工藝課程設(shè)計?設(shè)計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時,β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計時應盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應的影響。設(shè)計任務(wù)具體要求:1、制造目標:發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2024-12-27 20:50
【總結(jié)】微電子工藝課程設(shè)計一、摘要仿真(simulation)這一術(shù)語已不僅廣泛出現(xiàn)在各種科技書書刊上,甚至已頻繁出現(xiàn)于各種新聞媒體上。不同的書刊和字典對仿真這一術(shù)語的定義性簡釋大同小異,以下3種最有代表性,仿真是一個系統(tǒng)或過程的功能用另一系統(tǒng)或過程的功能的仿真表示;用能適用于計算機的數(shù)學模型表示實際物理過程或系統(tǒng);不同實驗對問題的檢驗。仿真(也即模擬)
2025-06-29 12:49
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護而不會被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】微電子培訓手冊3/9/20231目錄歡迎加入無錫紅光微電子有限公司裝片工序,您將通過以下課程的學習逐步掌握裝片的操作;希望通過我們共同的努力,您能早日成為一名裝片工序合格的操作員工!3/9/20232目錄歡迎加入無錫紅光微電子有限公司裝片工序,您將通過以下課程的學習
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】第二章集成電路的制造工藝?第一節(jié)雙極型集成電路的工藝流程?第二節(jié)MOS集成電路的工藝流程?第三節(jié)外延工藝?第四節(jié)氧化工藝?第五節(jié)化學汽相淀積(CVD)方法?第六節(jié)摻雜技術(shù)?第七節(jié)光刻工藝?第八節(jié)刻蝕技術(shù)第二章集成電路的制
【總結(jié)】微電子學專業(yè)介紹?器件方向?如果對物理感興趣,可以來研究器件中的物理機制?如果對數(shù)學感興趣,可以來對器件進行建模?微機電系統(tǒng)方向?如果對化學感興趣,可以來研究制作工藝?集成電路設(shè)計方向?如果對設(shè)計感興趣,就來設(shè)計各種各樣的芯片電路吧?其他?如果對生物感興趣,在微電子也有很大的發(fā)展空間。
2024-12-27 19:38
【總結(jié)】授課教師:張建國講師辦公室:211樓1101房間電話:028-83203830,13228219016E-mail:電子科技大學課程中心關(guān)于更新課程中心登錄密碼的通知:各位老師、同學:課程中心已于上學期期末進行了系統(tǒng)升級,并與信息門戶網(wǎng)站實現(xiàn)了密碼統(tǒng)一。自即日
2025-05-12 18:36
【總結(jié)】第十章氧化學習目標:1、描述半導體制造工藝中氧化膜,包括原子結(jié)構(gòu)、各種用途以及它的優(yōu)點;2、氧化的化學反應以及如何在Si上生長氧化物;3、解釋選擇性氧化并給出兩個實例;4、識別三種熱氧化工藝設(shè)備,描述立式爐體的五部分,并討論快速升溫立式爐的優(yōu)點;5、解釋什么是快速熱處理、它的用途和設(shè)計;
2025-05-15 11:13
【總結(jié)】1ActiveArea主動區(qū)(工作區(qū))主動晶體管(ACTIVETRANSISTOR)被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)(ACTIVEAREA)。在標準之MOS制造過程中ACTIVEAREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的,而由于利用到局部場氧化之步驟,所以ACTIVEAREA會受到鳥嘴(BIRD’SBEAK)之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小,,’
2025-06-29 12:29
【總結(jié)】第九章集成電路制造工藝概況學習目標:1、畫出典型的亞微米CMOS集成電路制造流程圖2、掌握6種主要工藝3、描述CMOS制造工藝14個步驟的主要目的4、討論每一步CMOS制造流程的關(guān)鍵工藝和設(shè)備CMOS工藝流程?薄膜制作(layer)?刻印(patter
2025-05-15 10:53
【總結(jié)】第十六章刻蝕學習目標:1、刻蝕的9個重要參數(shù);2、解釋干法刻蝕,包括它的優(yōu)點,以及它是如何進行的;3、描述7種干法等離子體刻蝕設(shè)備;4、解釋高密度等離子體(HDP)刻蝕的好處,4種HDP刻蝕機;5、舉出介質(zhì)、硅和金屬干法刻蝕的實際例子;6、濕法刻蝕及應用;7、刻蝕檢查
2025-04-29 06:26