微電子工藝專有名詞-資料下載頁
2025-06-29 12:29本頁面
【正文】 Sites），則多出一個電子，可用來導(dǎo)電，使導(dǎo)電性增加，稱之為N型半導(dǎo)體。若參雜硼（B）等三價元素，且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結(jié)少了一個電子，因此其它鍵結(jié)電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過來填補，如此連續(xù)的電子填補，稱之為電洞傳導(dǎo)，亦使硅之導(dǎo)電性增加，稱之為P型半導(dǎo)體。因此N型半導(dǎo)體中，其主要帶電粒子為帶負電的電子，而在P型半導(dǎo)體中，則為帶正電的電洞。在平衡狀況下（室溫）不管N型或P型半導(dǎo)體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。 116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS） 無參入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃 NSG為半導(dǎo)體集成電路中之絕緣層材料，通常以化學(xué)氣相沉積的方式聲稱，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質(zhì)。主要應(yīng)用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產(chǎn)生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后績平坦化制程薄膜的生成。 117 NUMERICAL APERTURE（.） 數(shù)值孔徑 1. 定義：NA是投影式對準機，其光學(xué)系統(tǒng)之解析力（Resolution）好壞的一項指針。NA值越大，則其解析力也越佳。依照定義，數(shù)值孔徑 NA=?=（f/）可得f/=f/d=1/2NA（D：鏡面直徑。f：鏡頭焦距。n：鏡頭折射率。f/即我們在照相機鏡頭之光圈值上常見的f/16,8,4,）亦即，鏡片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但鏡片的制作也就越困難，因為易產(chǎn)生色差（Chromatic Aberration）及像畸變（Distorsion），以CANON Stepper為例，其NA=，換算成照相機光圈,Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。 118 OEB（OXIDE ETCH BACK ） 氧化層平坦化蝕刻 將Poly1上之多余氧化層（Filling OX）除去，以達到平坦化之目的。 119 OHMIC CONTACT 歐姆接觸 1. 定義：歐姆接觸試紙金屬與半導(dǎo)體之接觸，而其接觸面之電阻值遠小于半導(dǎo)體本身之電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(qū)（Active region）而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有兩個先決條件：（Barrier Height）（ND=1018 ㎝3）前者可使接口電流中熱激發(fā)部分（Thermionic Emission）增加；后者則使接口空乏區(qū)變窄，電子有更多的機會直接穿透（Tunneling），而同時Rc阻值降低。若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙（Energy Gap）較大的半導(dǎo)體（如GaAs），則較難形成歐姆接觸（無適當?shù)慕饘倏捎茫?，必須于半?dǎo)體表面參雜高濃度雜質(zhì)，形成Metaln+ n or MetalP+ P等結(jié)構(gòu)。 120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE） 氧化層氮化層氧化層 半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì)（類似電容器），以儲存電荷，使得資料得以在此存取。在此氧化層 氮化層 – 氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶的結(jié)合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷（如pinhole）的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補所缺。 121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST） 使用期限（壽命） 任何對象從開始使用到失效所花時間為失敗時間（Time of Failure: TF），對產(chǎn)品而言，針對其工作使用環(huán)境（Operation），所找出的TF，即為其使用期限（Operation Life Time）。其方法為：AF = exp [? (EstressEop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = * 105Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours 122 OXYGEN 氧氣 OXYGEN氧氣無色,無氣味,無味道雙原子氣體。在－183℃液化成淺藍色的液體，在218℃固化。在海平面上，空氣中約占20﹪體積的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在電漿光阻去除中，氧氣主要用來去除光阻用。在電漿干蝕刻中，氧混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前氧氣主要用途在于電漿光阻去除；利用氧氣在電漿中產(chǎn)生氧的自由基（RADICAL）與光阻中的有機物反應(yīng)，產(chǎn)生二氧化碳和水氣體蒸發(fā)，達到去除光阻的效果。 123 P31 磷 8 /
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1