微電子器件工藝學(xué)-資料下載頁
2024-12-28 23:00本頁面
【正文】 500～ 1000nm 的氧化層? 光刻 1版 (埋層版 )，利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氧化層刻蝕掉，并去掉光刻膠? 進行大劑量 As+注入并退火，形成 n+埋層雙極集成電路工藝? 生長 n型外延層? 利用 HF腐蝕掉硅片表面的氧化層? 將硅片放入外延爐中進行外延，外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定? 形成橫向氧化物隔離區(qū)? 熱生長一層薄氧化層，厚度約 50nm? 淀積一層氮化硅，厚度約 100nm? 光刻 2版 (場區(qū)隔離版? 形成橫向氧化物隔離區(qū)? 利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氮化硅層 氧化層以及一半的外延硅層刻蝕掉? 進行硼離子注入? 形成橫向氧化物隔離區(qū)? 去掉光刻膠，把硅片放入氧化爐氧化，形成厚的場氧化層隔離區(qū)? 去掉氮化硅層? 形成基區(qū)? 光刻 3版 (基區(qū)版 )，利用光刻膠將收集區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū)? 基區(qū)離子注入硼? 形成接觸孔：? 光刻 4版 (基區(qū)接觸孔版 )? 進行大劑量硼離子注入? 刻蝕掉接觸孔中的氧化層? 形成發(fā)射區(qū)? 光刻 5版 (發(fā)射區(qū)版 )，利用光刻膠將基極接觸孔保護起來，暴露出發(fā)射極和集電極接觸孔? 進行低能量、高劑量的砷離子注入，形成發(fā)射區(qū)和集電區(qū)? 金屬化? 淀積金屬，一般是鋁或 AlSi、 PtSi合金等? 光刻 6版 (連線版 )，形成金屬互連線? 合金： 使 Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在 450℃ 、 N2H2氣氛下處理 20～ 30分鐘? 形成鈍化層? 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅? 光刻 7版 (鈍化版 )? 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形CMOS集成電路工藝以 P阱硅柵 CMOS為例采用（ 100）晶向的硅襯底，其表面缺陷少，形成的 Si/SiO2界面質(zhì)量高硅襯底的電阻率為 2550Ωcm ，相應(yīng)的摻雜濃度為 1015cm 3光刻 I阱區(qū)光刻，刻出阱區(qū)注入孔NSi NSiSiO2一般阱區(qū)的摻雜濃度為 10161017cm3阱區(qū)注入及推進，形成阱區(qū)NSiP去除 SiO2， 長薄 SiO2，長 Si3N4Si3N4NSiP光刻 II有源區(qū)光刻NSiPSi3N4光刻 IIIN管場區(qū)光刻，刻出 N管場區(qū)注入孔，N管場區(qū)注入，以提高場開啟，減少閂鎖效應(yīng)及改善阱的接觸光刻膠NSiPB+長場氧，漂去氧化硅及氮化硅，然后長柵氧NSiP光刻 Ⅳ p管場區(qū)光刻， p管場區(qū)注入， 調(diào)節(jié) PMOS管的開啟電壓，生長多晶硅NSiPB+光刻 Ⅴ 多晶硅光刻，形成多晶硅柵及多晶硅電阻多晶硅NSiP光刻 Ⅴ IP+區(qū)光刻，刻去 P管區(qū)上的膠， P+區(qū)注入。形成 PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護環(huán)NSiPB+光刻 Ⅶ N+管場區(qū)光刻，刻去 N+管場區(qū)上的膠， N管場區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護環(huán)光刻膠NSiPAs長 PSG（磷硅玻璃）PSGNSiP+PP+N+ N+光刻 Ⅷ 引線孔光刻，可在生長磷硅玻璃后先開一次孔，然后在磷硅玻璃回流及結(jié)注入推進后再開第二次孔PSGNSiP+PP+N+ N+光刻 Ⅸ 引線孔光刻（反刻 AL），壓焊塊光刻PSGNSiP+PP+N+ N+ VDDIN OUTPNSDDS微電子器件工藝學(xué)講解內(nèi)容定義： 通過采用各種制造工藝技術(shù)組合按設(shè)計的器件結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)制作符合要求的器件主要講解內(nèi)容： 襯底制備，薄膜制備，摻雜技術(shù)，氧化技術(shù)，超凈室，光刻技術(shù)，電極制備及連接封裝技術(shù)結(jié)束謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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