【總結(jié)】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一門(mén)新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
2024-12-28 23:00
【總結(jié)】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點(diǎn)接觸晶體管問(wèn)世;1950年代:可控制導(dǎo)電類(lèi)型的超高純度單晶問(wèn)世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機(jī));1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時(shí)代;1970年代:集成電路(IC)
2024-12-28 15:55
【總結(jié)】微電子器件封裝-封裝材料與封裝技術(shù)朱路平城市建設(shè)與環(huán)境工程學(xué)院Email:QQ:422048712?WaferPackageSingleICAssemblyPackagingAssemblyistheBridgeBetweenICandSystem!本課程為材料專(zhuān)業(yè)本
【總結(jié)】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng),空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí),N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【總結(jié)】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時(shí)間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個(gè)區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【總結(jié)】第2章表面組裝元器件?表面組裝元器件又稱(chēng)為片式元器件,也叫貼片元器件,是適應(yīng)當(dāng)代電子產(chǎn)品微小型化和大規(guī)模生產(chǎn)的需要發(fā)展起來(lái)的微型元器件,現(xiàn)廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,具有體積小、重量輕、高頻特性好,無(wú)引線或短引線、安裝密度高、可靠性高、抗振性能好、易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、適合表面組裝、成本低等特點(diǎn)。表面組裝元件(SMC:SurfaceMou
2025-01-01 07:20
【總結(jié)】課程設(shè)計(jì)課程名稱(chēng)微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱(chēng)PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院____專(zhuān)業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1班學(xué)號(hào)3108008033學(xué)生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛(ài)香
2025-07-27 17:47
【總結(jié)】目錄一·課程設(shè)計(jì)目的與任務(wù)……………………………………………………………1二·設(shè)計(jì)的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設(shè)計(jì)的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設(shè)計(jì)……………………………………………………………………2………………………………………………2
2025-06-29 13:20
【總結(jié)】微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)?設(shè)計(jì)一個(gè)均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時(shí),β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。設(shè)計(jì)任務(wù)具體要求:1、制造目標(biāo):發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2024-12-27 20:50
【總結(jié)】第五章非平衡載流子1.GeN?313410,101??????cmpsp?解:??13173141010110ppUcms?????????2.空穴在半導(dǎo)體內(nèi)均勻產(chǎn)生,其產(chǎn)生率00px???0???xE?22ppppEppppD
2025-10-09 14:52
【總結(jié)】?復(fù)旦大學(xué)微電子研究院?包宗明?半導(dǎo)體物理、器件和工藝導(dǎo)論(第一部分)半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理本課程的目的?為后繼課程的學(xué)習(xí)打基礎(chǔ);?提高工作中分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力;?提高今后工作中繼續(xù)學(xué)習(xí)和研究的能力。主要參考書(shū):《雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理》黃均鼐湯庭鰲編著其他參考書(shū):
2025-04-29 05:36
【總結(jié)】第六章PN結(jié)1、??VnNNqTkViADD26171520??????解:查附錄,得到室溫下,Ge本征載流子濃度???cmni317315105,105??????cmNcmNAD接觸電勢(shì)差,2、解、P中性區(qū)電子擴(kuò)散區(qū)勢(shì)
2024-12-23 14:01
【總結(jié)】光電子器件理論與技術(shù)主講人:婁淑琴電學(xué)(或電子學(xué))和光學(xué)(或光子學(xué))在表面看來(lái)是兩個(gè)獨(dú)立的學(xué)科。在深入研究的過(guò)程中,人們發(fā)現(xiàn)兩者有著非常密切的內(nèi)在聯(lián)系。光與電打交道的第一個(gè)回合是19世紀(jì)60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無(wú)線電波和光波都是電磁波。光和電第一個(gè)回合
2025-08-01 12:32
【總結(jié)】第2章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——電力二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件功率集成電路與集成電力電子模塊本章小結(jié)引言■模擬和
2025-07-20 08:30
【總結(jié)】微電子器件測(cè)試與封裝-第四章深?lèi)?ài)半導(dǎo)體股份有限公司封裝部-謝文華器件的分類(lèi)Page2內(nèi)容|半導(dǎo)體器件測(cè)試SHENZHENSISEMICONDUCTORSCO.,LTD?半導(dǎo)體器件?一、集成電路?ASIC?存儲(chǔ)器?FPGA?二、分立器件?雙極晶體管——Transistor
2025-01-01 04:40