【摘要】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-02-02 04:14
【摘要】微電子器件工藝學序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學是固體物理,微電子器件工藝和電子學
2025-06-29 07:50
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當VGS=VT時ID=0。但實際上當VGSVT時,MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2025-01-29 23:00
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點本節(jié)的重點1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2025-01-28 19:38
【摘要】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-02-02 04:40
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
【摘要】微電子器件工藝學序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學是固體物理,微電子器件工藝和電子學基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀:1947年:點接觸晶體管問世;1950年代:可控制導(dǎo)電類型的超高純度單晶問世,結(jié)型晶體管出現(xiàn)(取代真空管,收音機);1960年代:第一代集成電路(IC)出現(xiàn),電視時代;1970年代:集成電路(IC)
2025-01-29 15:55
【摘要】微電子器件封裝-封裝材料與封裝技術(shù)朱路平城市建設(shè)與環(huán)境工程學院Email:QQ:422048712?WaferPackageSingleICAssemblyPackagingAssemblyistheBridgeBetweenICandSystem!本課程為材料專業(yè)本
【摘要】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負)電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運動,空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當采用耗盡近似時,N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-06-04 01:15
【摘要】微電子器件可靠性習題第一、二章數(shù)學基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-05-12 01:56
【摘要】第2章表面組裝元器件?表面組裝元器件又稱為片式元器件,也叫貼片元器件,是適應(yīng)當代電子產(chǎn)品微小型化和大規(guī)模生產(chǎn)的需要發(fā)展起來的微型元器件,現(xiàn)廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,具有體積小、重量輕、高頻特性好,無引線或短引線、安裝密度高、可靠性高、抗振性能好、易于實現(xiàn)自動化、適合表面組裝、成本低等特點。表面組裝元件(SMC:SurfaceMou
2025-02-02 07:20
【摘要】課程設(shè)計課程名稱微電子器件工藝課程設(shè)計題目名稱PNP雙極型晶體管的設(shè)計學生學院___材料與能源學院____專業(yè)班級08微電子學1班學號3108008033學生姓名____張又文___指導(dǎo)教師魏愛香
2024-09-06 17:47
【摘要】目錄一·課程設(shè)計目的與任務(wù)……………………………………………………………1二·設(shè)計的內(nèi)容………………………………………………………………………1三·設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)………………………………………………………………1四·物理參數(shù)設(shè)計……………………………………………………………………2………………………………………………2
2024-08-09 13:20
【摘要】微電子器件與工藝課程設(shè)計?設(shè)計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時,β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。設(shè)計任務(wù)具體要求:1、制造目標:發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2025-01-28 20:50