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電力電子器件全控型器件-資料下載頁(yè)

2024-12-28 22:24本頁(yè)面
  

【正文】 技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一36電力 MOSFET的工作原理導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓 UGS柵極是絕緣的,所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面 P區(qū)中的空穴推開(kāi),而將 P區(qū)中的少子 —— 電子吸引到柵極下面的 P區(qū)表面。 當(dāng) UGS大于 UT( 開(kāi)啟電壓 或 閾值電壓 )時(shí),柵極下 P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度,使 P型半導(dǎo)體反型成 N型而成為反型層, 該反型層形成 N溝道而使 PN結(jié) J1消失 ,漏極和源極之間導(dǎo)電 。源極漏極電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一371)靜態(tài)特性 漏極電流 ID和 柵源間電壓 UGS的關(guān)系稱為 MOSFET的 轉(zhuǎn)移特性 。 ID較大時(shí), ID與UGS的關(guān)系近似線性,曲線的 斜率 定義為 跨導(dǎo)Gfs:2電力 MOSFET的基本特性電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院382電力 MOSFET的基本特性1)靜態(tài)特性MOSFET的 漏極伏安特性 ,即 輸出特性 ,包括:截止區(qū) ,飽和區(qū) ,非飽和區(qū)飽和指漏源電壓增加時(shí)漏極電流不再增加這里的飽和 /非飽和的概念與 GTR不同 。這里 非飽和 指的是漏源電壓增加時(shí),漏極電流相應(yīng)增加。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一39MOSFET的 漏極伏安特性 :l 電力 MOSFET工作在 開(kāi)關(guān)狀態(tài) ,即在 截止區(qū) 和 非飽和區(qū) 之間來(lái)回轉(zhuǎn)換。l 電力 MOSFET漏源極之間有 寄生二極管 ,漏源極間加反向電壓時(shí)器件 導(dǎo)通 。l 電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的 均流 有利。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一40(2)動(dòng)態(tài)特性l 開(kāi)通時(shí)間 ton: 開(kāi)通延遲時(shí)間 td(on),電流上升時(shí)間 tri,以及漏極電壓下降時(shí)間 tfv之和。l 關(guān)斷時(shí)間 toff:關(guān)斷延遲時(shí)間td(off),漏極電壓上升時(shí)間 trv,以及電流下降時(shí)間 tfi之和。電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一41l MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和 Cin充放電 有很大關(guān)系。l 可降低 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻 Rs減小時(shí)間常數(shù),加快開(kāi)關(guān)速度。l 不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng), 關(guān)斷過(guò)程 非常迅速。l 工作 頻率 可達(dá) 100kHz以上,是主要電力電子器件中最高的。l 場(chǎng)控器件 ,靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流。但在開(kāi)關(guān)過(guò)程中需對(duì)輸入電容充放電,仍需一定的驅(qū)動(dòng)功率。l 開(kāi)關(guān)頻率 越高,所需要的驅(qū)動(dòng)功率越大。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院2023/3/1星期一423.電力 MOSFET的主要參數(shù)除跨導(dǎo) Gfs、開(kāi)啟電壓 UT以及 td(on)、 tr、 td(off)和 tf,還有:a) 漏極電壓 UDS電力 MOSFET電壓定額b) 漏極直流電流 ID和漏極脈沖電流幅值 IDM電力MOSFET電流定額c) 柵源電壓 UGS柵源之間的絕緣層很薄, ?UGS?20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿d) 極間電容 三極間分別存在極間電容 CGS、 CGD和 CDS電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院43End電力電子技術(shù)(PowerElectronics)電力電子器件武漢科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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