微電子器件(3-8)-資料下載頁
2025-01-01 04:40本頁面
【正文】 可解得： 特征頻率的定義 因 所以 fT 可表為 對于 fa 500 MHz 的現(xiàn)代微波管，可忽略 ，這時 對于 fa 500 MHz 的晶體管， ?ec 中以 ?b 為主，這時可得 的關(guān)系曲線也有類似的頻率特性。 由 實(shí)際測量 fT 時，不一定要測到使 下降為 1 時的頻率，而是在 的條件下測量 （ 可以大于 1 ），然后根據(jù) ，即可得到 由于上式， fT 又稱為晶體管的 增益帶寬乘積 。 高頻管的工作頻率一般介于 fβ 與 fT 之間。 特征頻率的測量 特征頻率隨偏置電流的變化 小電流時 ,隨著 IE 或 IC 的增大， ?eb 減小，使 fT 提高，所以 fT 在小電流時隨電流的增大而提高。但是當(dāng)電流很大時， ?eb 的影響變小，甚至可以略去。 大電流下，當(dāng)基區(qū)發(fā)生縱向擴(kuò)展 ?WB 時，使基區(qū)渡越時間 ?b 增加。同時，集電結(jié)勢壘區(qū)厚度將減小 ?WB ，使集電結(jié)勢壘區(qū)延遲時間 ?d 變小。但是 ?b 的增加要比 ?d 的減小大得多，所以 fT 在大電流時隨電流的增大而降低。 此外， fT 隨著 VBC 的減小而下降。這是因?yàn)? VBC 減小時集電結(jié)耗盡區(qū)變薄， CTC 增加，從而使 ?c 增加。 對 ?b 的修正 影響高頻電流放大系數(shù)與特征頻率的其它因素CTC 中還應(yīng)包括延伸電極的寄生電容，等等。 發(fā)射區(qū)延遲時間E B C 例： 某 C 波段低噪聲小信號晶體管，具有如表 34 所示的設(shè)計(jì)參數(shù)。經(jīng)計(jì)算可得：由于忽略了一些次要因素，實(shí)際的 fT 可能只有 7 GHz 左右。 高頻晶體管的 fT 與 ?ec 當(dāng) WB 較大， fT 較低時，提高 fT 的主要措施是減小 WB 。但當(dāng) WB 已很小時，僅靠減小 WB 來提高 fT 的作用就開始減弱。特別是當(dāng) WB ?m 后，再減小 WB 幾乎對提高 fT 不起多少作用，反而產(chǎn)生諸如提高 rbb’ ，降低 VA 等副作用。謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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